现代陶瓷之结构陶瓷.pptVIP

个人用品：氧化锆陶瓷耐磨性好，硬度高，可以抛光且外观美观，因此可作为手表带、表壳及其他装饰部件。陶瓷表源于瑞士雷达表，后来国内有优尼克、潮州三环和北京建材院下属公司等一些企业开始生产。目前主要生产表带，以黑和白为主，蓝、金和红等其他颜色也已开发出来，制备工艺以热压铸和干压为主。光纤连接器用陶瓷：光纤连接器与光纤跳接线是光纤网路中应用面最广且需求量最大的光无源器件。但是目前国际上只有美日等发达国家有技术生产氧化锆插芯和套筒，其毛坯生产技术在国内还是空白。陶瓷插芯毛坯由于内含一个0.1mm的小孔，且对尺寸同心度的要求都很高，因此采用传统的陶瓷材料成型方法难以制备，只有通过注射成型的方法才有可能。氧化铍陶瓷是以氧化铍为主要成分的陶瓷。纯氧化铍(BeO)属立方晶系。密度3.03g/cm3。熔点2570℃。具有很高的导热性，几乎与纯铝相等，还有很好的抗热震性。其介电常数6～7。最大缺点是粉末有剧毒性，且使接触伤口难于愈合。氧化铍陶瓷制备由于杂质对氧化铍陶瓷性能具有很大影响，因此需要制取高纯的氧化铍粉体。制备时以国产工业级氧化铍粉体为主原料，经物理除杂后，用酸溶解配制成铍盐水溶液。采用多次连续化学除杂工序去除溶液中所含W、Nb、Fe、Pb等20多种杂质元素，再经沉淀及煅烧制得平均粒径为20nm、氧化铍纯度达99.18%以上的无强团聚的近球形粒子氧化铍粉体。01氧化铍陶瓷的制备一般分为冷压烧结和热压烧结。添加质量分数为1%以下的MgO、TiO2、Fe2O3可以促进氧化铍的烧结。冷压在100MPa下进行，压坯在1800℃下烧结10min，密度可达2.65g/cm3。热压压力1.4MPa，温度1800℃，时间10min，密度达2.96g/cm3。02氧化铍陶瓷应用氧化铍陶瓷(BeO)因其具有高热导率、高熔点(2530±10℃)、高强度、高绝缘性、高的化学和热稳定性、低介电常数、低介质损耗以及良好的工艺适应性等特点,在特种冶金、真空电子技术、核技术、微电子与光电子技术领域得到广泛应用。尤其是在大功率半导体器件、集成电路、微波电真空器件及核反应堆中，BeO一直是制备高导热元部件的主流陶瓷材料。01核技术材料：BeO具有高的中子散射截面,可以将核反应堆中泄露出来的中子反射回反应堆内,因而已经被广泛用作原子反应堆中的中子减速剂(反射器)和防辐射材料此外，BeO优异的热、红外光学性能及热激发射特性,使其适合用于热荧光、外电子发射和电子顺磁共振剂量计中的探头。02真空和电子材料：高的热导率和低的介电常数是BeO材料在真空和电子技术领域得到广泛应用重要原因。BeO陶瓷目前已用于高性能、高功率微波封装，BeO基片也已用于高电路密度的多片组件。采用BeO材料可以将系统中产生的热量及时地散去,保证系统的稳定性和可靠性。BeO陶瓷还广泛用于宽带大功率的电真空器件中,如行波管的输能窗、夹持杆和降压收集极。低的介电常数和损耗有利于获得很好的宽频匹配特性,同时也可减少功率损失。高的导热率可以将大功率器件中产生的热量及时地传导出去,从而能够保证器件的稳定性和可靠性。与Al2O3窗相比,BeO陶瓷可以承受大得多的连续波输出功率。例如:BeO窗承受263kW的输出功率没有损坏,而Al2O3窗在100kW的输出功率下即发生破裂。氮化物一般是以MxNy表示氮化合物。根据氮化物的物理性质和键的特点，氮化物可分为非金属氮化物和金属氮化物。氮化硼和氮化硅属非金属氮化物。金属氮化物中又可分成过镀金属氮化物和非过渡金属氮化物。过镀金属氮化物有氮化钛、氮化钼和氮化钨等。氮化铝属非过渡金属氮化物。本节主要介绍氮化硅、赛龙、氮化铝、氮化硼等氮化物陶瓷。氮化硅陶瓷是一种先进的工程陶瓷材料。该陶瓷于19世纪80年代发现，20世纪五十年代获得较大规模发展。中国是在七十年代初开始研究，到八十年代中期已取得一定成绩。该材料具有高的室温和高温强度、高硬度、耐磨蚀件、抗氧化性和良好的抗热冲击及机械冲击性能，被材料科学界认为是结构陶瓷领域中综合性能优良、最有希望替代镍基合金在高科技、高温领域中获得广泛应用的一种新材料。因此近二、三十年来颇受青睐和重视。Si3N4的晶体结构氮化硅是共价键化合物。它有两种晶型：针状的α氮化硅和颗粒状的β氮化硅。它们均属于六方晶系。氮化硅的晶体结构为Si原于和周围的4个N原子形成共价键，构成[SiN4]四面体结构单元，所有四面体共享顶角构成四维空间网络。正是由于[SiN4]四面体结构单元的存在，氮化硅具有较高的硬度。氮化硅陶瓷制备粉体制备：氮化硅粉体都是人工合成的。大量研究表明，高质量粉体是得到高性能陶瓷重要保证。作为制备高性能氮化硅材料所需的粉体必须具备:窄的颗粒尺寸分布，低的金属杂质含量(Fe,Ti等)和氧含量，价格低廉适中。