PMMA@mCeO2纳米复合微球的制备及抛光性能研究.pdfVIP

摘要

摘要

作为目前唯一的全局平坦化抛光技术，化学机械抛光技术被广泛应用于光学玻璃、

集成电路和蓝宝石等需要高质量的精密抛光表面的场合。而在诸多影响抛光质量的因

素中，抛光液中的磨料在其中有着非常重要的作用。为了提高化学抛光技术中的抛光

速率和抛光质量，获得更加高质量的抛光表面，本文采用了表面带有负电荷的聚甲基

丙烯酸甲酯（PMMA）微球作为内核，在表面包覆了二氧化铈壳层，形成了一种“外

硬内软”的核壳型复合磨料。随后在此基础上使用CTAB作为模板剂，制备出了含介

孔的PMMA@CeO复合微球。对PMMA微球和PMMA@CeO核壳型复合微球采

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用了X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）等检测方式对样品的结构和

形貌等因素进行了表征，对PMMA@CeO复合微球进行了氮气吸脱附曲线和XRD

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等检测，对其介孔结构进行了分析。具体研究如下：

（1）采用无皂乳液聚合法，以微波辐射的方式将溶液加热至沸腾的状态，在此

状态下制备了表面带有负电荷的PMMA微球。研究了反应中主要原料的浓度、微波

功率和搅拌速度等因素对PMMA微球的表面形貌、平均粒径和单分散程度等影响。

最终制备出了表面光滑、粒径均一、呈现规则球形的PMMA微球，微球平均粒径为

350nm左右，表面带有的负电荷小于-30mV，足以保证微球稳定。

21PMMA

（）以（）中的微球为内核，通过原位化学沉淀法制备出了具有核壳

结构的PMMA@CeO复合微球，并且通过改变硝酸铈的用量，制备出了多种包覆程

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度和壳层厚度不一的PMMA@CeO复合微球。PMMA@CeO复合微球的形貌与

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PMMA0.2g1g2g4g9nm

微球基本相似，在硝酸铈用量为、、和时，壳层厚度分别为、

20nm、28nm和30nm。随着CeO壳层厚度的增加，XRD图谱中CeO的特征峰越尖

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锐。

3PMMA@CeOCTAB

（）在制备2复合微球的基础上，使用作为模板剂，采用

软模板法制备出了含介孔的PMMA@CeO纳米复合微球。BET结果显示所制备的

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复合微球均呈现介孔结构，是片状粒子的堆积聚集体所形成的狭缝孔结构。小尺度

XRD结果显示所制备的复合微球介孔孔道无序。

（4）将所制备的PMMA@CeO和PMMA@CeO纳米复合微球分别配置成抛光

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浆料，对KDP晶体进行抛光，对比纯CeO磨料配置成的抛光浆料，从抛光质量和抛

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光速率两个方面对CMP磨料进行评价。最终抛光结果显示使用PMMA@CeO2纳米

复合磨料可以有效降低纯CeO磨料带来的划痕等机械损伤，在5μm×5μm的范围内

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II

摘要

表面粗糙度Ra和RMS的值由0.965nm和1.95nm降低到了0.546nm