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1+X集成电路理论练习题

一、单选题（共39题，每题1分，共39分）

1.使用平移式分选设备进行芯片检测时，完成上料后需要进行的环节是（）。

A、分选

B、真空包装

C、测试

D、外观检查

正确答案：C

2.使用转塔式分选设备进行芯片测试时，芯片在该工位完成操作后，需要进入（）环节。

A、测前光检

B、测后光检

C、测试

D、旋转纠姿

正确答案：B

3.()是使硅片上的局部区域达到平坦化。

A、平滑处理

B、部分平坦化

C、局部平坦化

D、全局平坦化

正确答案：C

答案解析：局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。

4.自定义元件库需与原理图文件放在同一（）中。

A、Navigator

B、Project

C、Target

D、Message

正确答案：B

5.管装装内盒时，在内盒上贴有()种标签。

A、1

B、2

C、3

D、4

正确答案：B

答案解析：管装内盒上的标签有合格标签和含芯片信息的标签。

6.通常情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片()颗。

A、3000

B、1000

C、5000

D、2000

正确答案：D

答案解析：一般情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片2000颗。

7.平移式分选机设备的上料步骤正确的是：()。

A、待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换

B、吸嘴转移芯片→待测芯片上料→空料盘替换

C、空料盘替换→待测芯片上料→吸嘴转移芯片

D、吸嘴转移芯片→空料盘替换→待测芯片上料

正确答案：A

答案解析：平移式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换。

8.在AltiumDesigner软件中完成电路设计之后，为了验证所布线的电路板是符合设计规则的，现在设计者要运行（）。

A、BoardLayersColors

B、DesignRuleCheck

C、ProjectOutputsforMultivibrator

D、PCBRulesandconstraintsEditor

正确答案：B

9.芯片的耐压度是指()，主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝缘结构。

A、所能承受的最大应力

B、承受电压的能力

C、所能承受的最大压强

D、所能承受的极限载荷

正确答案：B

答案解析：耐压度是承受电压的能力，主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝缘结构。

10.在全自动探针台上进行扎针调试时，若发现探针整体偏移，则对应的处理方式是：()。

A、利用摇杆微调扎针位置

B、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置

C、更换探针测试卡D、调节扎针深度

正确答案：A

答案解析：扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移，需要用摇杆微调整体的扎针位置。

11.元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方向，则应使标记向外易于辨认，并按照（）的顺序读出。

A、从右到左、从上到下

B、从左到右、从下到上

C、从右到左、从下到上

D、从左到右、从上到下

正确答案：B

12.最大不失真输出电压测试，输入信号步进值（），但测试时间会随输入电压步进值（）。

A、越小越好、增加而增加

B、越大越好、增加而减小

C、越小越好、减小而增加

D、越大越好，减小而减小

正确答案：C

13.重力式分选机的测试环节是在（）进行。

A、旋转台上

B、主转塔中

C、水平面上

D、测试轨道中

正确答案：D

14.在电子电路方案设计中最简单的显示平台是（）。

A、OLED

B、LCD

C、LED

D、数码管

正确答案：C

15.真空包装时，需要在包装盒外套上()。

A、包装袋

B、防静电铝箔袋

C、不透明塑料袋

D、海绵

正确答案：B

答案解析：在将晶圆放入包装盒后，一般会在包装盒外套上防静电铝箔袋。

16.双极型与单极型集成电路在性能上的主要差别是（）。

A、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性好、输入电阻大，而单极型器件正好相反

B、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性差、输入电阻小，而单极型器件正好相反

C、双极型器件工作频率高、功耗低、温度特性好、输入电阻小，而单极型器件正好相反

D、双极型器件工作频率低、功耗大、温度特性好、输入电阻小，而单极型器件正好相反

正确答案：B

17.料盘检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式()份。

A、1

B、2

C、3

D、4

正确答案：B

答案解析：料盘检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式两份。

18.使用平移式分选设备进行芯片检测时，测试环节的流程是：（）。

A、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果

B、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片

C、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片

D、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录