《电子技术基础》课件_第2章.ppt

2.共源MOS场效应放大电路的动态分析1)场效应管的微变等效电路由于场效应管输入端不取电流,输入电阻极大,故输入端可视为开路。场效应管仅存在如下关系：rD很大,可以认为开路:iD=gmuGS根据电路方程可画出等效电路,如图2.45所示。2)动态分析放大电路和微变等效电路如图2.46与图2.47所示。场效应管放大电路的动态分析同双极性三极管,也是求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。(1)电压放大倍数。根据电压放大倍数的定义有由等效电路可得3)晶体三极管的小信号模型综上分析，得到晶体三极管的小信号模型，由于通常rce很大，可忽略不计，如图2.17所示。2.用微变等效电路法分析放大电路用微变等效电路法可以较为简单地分析放大电路对交流信号的放大能力，定量地分析出电路的主要技术指标。具体步骤如下所述。(1)画出放大电路的交流通路。原则:直流电源视为短路(有内阻保留)，电容视为短路，电感视为开路。根据上述原则，画出共射极放大电路交流通路如图2.18所示。(2)画出等效电路。将晶体三极管小信号模型电路代入交流通路，得到共发射极基本放大电路的微变等效电路，如图2.19所示。(3)放大电路主要技术指标的计算。①电压放大倍数Au。电压放大倍数是放大电路的输出电压与输入电压的变化量之比：②输入电阻Ri。对于为放大电路提供信号的信号源来说，放大电路相当于是负载电阻，这个负载电阻就是输入电阻，用Ri来表示。③输出电阻。对于负载而言，放大电路相当于信号源，图2.21所示放大电路框图。求解输出电阻就是将放大电路进行戴维南等效，戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。具体来说就是用加压求电流法求输出电阻，即:所有电源置零，然后计算电阻，所有独立电源置零，保留受控源，加压求电流。如图2.22所示，令=0，保留Rs，将负载开路(RL=∞)，在放大电路的输出端外加一电压，求出在的作用下输出端中的，则输出电阻为由于=0，有=0，故=0，将该受控电流源作开路处理，则外加电压产生的电流I·=U·/Rc，根据上式得到:

第三节分压式偏置电路

3.1组成及工作原理1.分压式偏置电路各元件的作用图2.26是一个工作点稳定的共射极放大电路，由于它的偏置电路是由电阻分压构成的，故为分压式偏置放大电路。从图2.26中看出，电路主要采取了两个措施:一是采用分基极偏置电路；二是在发射极增加了发射电阻Re，为了不造成交流信号在上Re的损失，在Re两端并联了一个容量足够大的交流旁路电容Ce。2.放大电路稳定静态工作点的过程当电路参数设计满足条件IR?IB时，有2.3.2静态分析1.直流通路按照直流通路的画法，得到分压式偏置电路的直流通路，如图2.27所示。2.静态工作点的计算2.3.3动态分析1.交流通路及小信号模型电路按照放大电路交流通路的画法，得到分压式偏置电路的交流通路及小信号模型电路，如图2.28所示。2.主要性能指标

第四节场效应管

场效应管即单极型三极管，简称FET。与晶体管相比，场效应管具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好、功耗低、抗辐射能力强等优点，而且制造工艺简单、占有芯片面积小、器件特性便于控制、功耗小，特别适宜于大规模集成，因此在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛应用。根据结构的不同，场效应管主要分为两大类:结型场效应管和金属—氧化物—半导体场效应管。结型场效应管和MOS场效应管都有N沟道和P沟道之分，MOS场效应管还有增强型和耗尽型之分，所以场效应管共分六种类型。4.1结型场效应管1.结构及工作原理结型场效应管有两种结构形式：N型沟道结型场效应管和P型沟道结型场效应管，如图2.32所示。以N型沟道为例。在一块N型硅半导体材料的两边，利用合金法、扩散法或其他工艺做成高浓度的P+型区，使之形成两个PN结，然后将两边的P+型区连在一起，引出一个电极，称为栅极G。在N型半导体两端各引出一个电极，分别作为源极S和漏极D。夹在两个PN结中间的N型区是源极与漏极之间的电流通道，称为导电沟道。由于N型半导体多数载流子是电子，故此沟道称为N型沟道。同理，P型沟道结型场效应管中，沟道是P型区，称为P型沟道，栅极与N型区相连。电路符号中的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。从结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。通过改变栅极