集成电路工艺项目实训报告.docVIP

目录

TOC\o1-3\h\z\u第一章SilvacoTCAD软件 2

1.1SilvacoTCAD软件概述 2

1.2Athena工艺仿真流程 2

1.3ATLAS器件仿真器概述 3

第二章NMOS管介绍 3

2.1NMOS管的根本结构 3

2.2NMOS管的工作原理 4

2.3NMOS器件仿真器的根本工艺流程 4

第三章NMOS实训仿真 4

3.1器件仿真剖面图及其参数提取 4

3.1.1器件剖面图 4

3.1.2抽取器件参数提取 5

3.2栅极特性曲线输出以及I/V输出曲线 6

3.2.1栅极特性曲线 6

3.2.2I/V输出曲线 7

3.3参数变化对器件的影响 7

改变阱浓度所得器件结构及曲线 7

改变快速热退火温度的影响 8

改变调整阈值电压的注入浓度的影响 9

改变源/漏浓度所得的器件结构及曲线 10

3.4参数对器件影响实验结论 11

第四章实训总结 12

附录： 13

1.剖面图程序 13

2.输出栅极特性曲线 16

3.输出曲线组 17

参考文献 18

第一章SilvacoTCAD软件

1.1SilvacoTCAD软件概述

用来模拟半导体器件电学性能，进行半导体工艺流程仿真，还可以与其它EDA工具组合起来使用(比方spice)，进行系统级电学模拟。

SivacoTCAD为图形用户界面，直接从界面选择输入程序语句，非常易于操作。其例子教程直接调用装载并运行，是例子库最丰富的TCAD软件之一。SilvacoTCAD平台包括：工艺仿真(ATHENA)、器件仿真(ATLAS)、快速器件仿真(Mercury)。

1.2Athena工艺仿真流程

图1-1Athena工艺仿真流程

1.3ATLAS器件仿真器概述

图1-2ATLAS器件仿真器概述

第二章NMOS管介绍

2.1NMOS管的根本结构

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底〔提供大量可以动空穴〕上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体外表覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极〔通常是多晶硅〕,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。

2.2NMOS管的工作原理

①vGS=0的情况，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不管vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

②vGS0的情况，假设vGS0，那么栅极和衬底之间的SiO2绝缘层便产生一个电场。电场方向垂直半导体外表的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。

排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将P型衬底中的电子〔少子〕被吸引到衬底外表。

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，vGS增加时，吸引到P衬底外表层的电子就增多，当vGS到达某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底外表便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层。vGS越大，作用半导体外表的电场就越强，吸引P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

2.3NMOS器件仿真器的根本工艺流程

a.衬底硅氧化：在衬底外表产生一层相对较厚的SiO2有选择地刻蚀氧化区，暴露出将来用来生成MOS晶体管的硅外表。

b.用高质量氧化物薄膜覆盖Si外表，这层氧化物最终将形成MOS晶体管的栅极氧化物。

c.在薄氧化层顶部淀积一层多晶硅。多晶硅可以用做MOS晶体管的栅电极材料，也可以用做硅集成电路中的互连线。

d.成型和刻蚀多晶硅层，形成连线和MOS管的栅极，刻蚀未覆盖多晶硅的那层薄栅极氧化物，裸露出硅表层，这样可以在其上面形成源区和漏区了。

e.通过扩散或离子注入方式，整个硅表层就会被高浓度的杂质所掺杂，形成源区和漏区。用一层SiO2绝缘层覆盖整个外表对绝缘氧化层成型得到源极和漏极的接触孔，表层蒸发覆盖一层铝，形成互连线，将金属层成型并刻蚀，其表层形成了MOS管的互连。

第三章NMOS