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1.6.4二极管的检测用万用表R×100或R×1k挡测其正、反向电阻，根据二极管的单向导电性可知，测得阻值小时与黑表笔相接的一端为正极；反之，为负极。若二极管的正、反向电阻相差越大，说明其单向导电性越好。若二极管正、反向电阻都很大，说明二极管内部开路；若二极管正、反向电阻都很小，说明二极管内部短路。注意，不能用R×1挡（内阻小，电流太大）和R×10k挡（电压高）测试，否则有可能会在测试过程中损坏二极管。11.7晶体三极管晶体三极管（以下简称三极管）是信号放大和处理的核心器件，广泛用于电子产品中。1.7.1三极管的分类三极管的种类很多，按PN结的组合方式可分为NPN型和PNP型；按材料可分为锗三极管和硅三极管；按工作频率可分为高频三极管（fa≥3MHz）和低频三极管（fa＜3MHz）；按功率可分为大功率管（PC≥1W）和小功率三极管（PC＜1W）等。常见三极管的外形及电路符号如图1.20所示。图1.20常见晶体三极管的外形及电路符号交流电流放大系数交流电流放大系数包括共发射极电流放大系数（?）和共基极电流放大系数（?），它是表明三极管放大能力的重要参数。三极管的主要技术参数（2）集电极最大允许电流（3）集—射极间反向击穿电压集电极最大允许电流（ICM）指三极管的电流放大系数明显下降时的集电极电流。集—射极间反向击穿电压（BVceo）指三极管基极开路时，集电极和发射极之间允许加的最高反向电压。集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率（PCM）指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。除以上之外，三极管还有表明热稳定性、频率特性等性能的参数。1.7.3三极管的命名方法三极管的命名由5部分组成，如图1.21所示。其中第二、三部分各字母含义如表1.10所示。图1.21三极管的命名方法第二部分第三部分字母意义字母意义APNP型锗材料K开关三极管BNPN型锗材料X低频小功率三极管（fa＜3MHz，PC＜1W）CPNP型硅材料G高频小功率三极管（fa≥3MHz，PC＜1W）DNPN型硅材料D低频大功率三极管（fa＜3MHz，PC≥1W）A高频大功率三极管（fa≥3MHz，PC≥1W）表1.10 第二、三部分各字母含义添加标题【例】某三极管的标号为3C*701A，其含义是：添加标题PNP型低频小功率硅三极管，如图1.22所示。图1.22三极管的组成示例1.7.4三极管的检测三极管类型和基极b的判别将万用表置于R×100或R×1k挡，用黑表笔碰触某一极，红表笔分别碰触另外两极，若两次测得的电阻都小（或都大），则黑表笔（或红表笔）所接引脚为基极且为NPN型（或PNP型）。发射极e和集电极c的判别若已判明三极管的基极和类型，任意设另外两个电极为e、c端。判别c、e时按图1.23所示进行。以PNP型管为例，将万用表红表笔假设接c端，黑表笔接e端，用潮湿的手指捏住基极b和假设的集电极c端，但两极不能相碰（潮湿的手指代替图中100k?的电阻R）。再将假设的c、e电极互换，重复上面步骤，比较两次测得的电阻大小。测得电阻小的那次，红表笔所接的引脚是集电极c，另一端是发射极e。PARTONE图1.23用万用表判别PNP型三极管的c、e极1.8场效应管1.8.1场效应管概述场效应管的特性场效应晶体管（简称场效应管）也是一种具有PN结的半导体器件，与三极管不同的是，它不是利用PN结的导电特性，而是利用它的绝缘特性。场效应管的结构如图1.24所示。图1.24场效应管的结构场效应管中有一个电流的通道，称为沟道，沟道的两端分别称为漏极D和源极S，PN结位于整个沟道的旁边，PN结的外侧为第三个极，称为栅极G。PARTONE当栅极加上电压后，就会产生电场，这个电场会影响PN结的厚度，从而影响沟道的内径大小，最终导致沟道导电能力变化，使流过沟道的电流发生变化，达到用栅极电压控制漏极电流的目的，如图1.25所示。图1.12直标法2．文字符号法文字符号法是用特定符号和数字表示电容器的容量、耐压、误差的方法。一般数字表示有效数值，字母表示数值的量级。常用的字母有m、?、n、p等，字母m表示毫法、?表示微法（?F）、n表示纳法（nF）、p表示皮法（pF）。0201【例】10?表示标称容量为10?F，10p表示标称容量为10pF等。字母有时也表示小数点。【例】p33表示0.33pF，2p2表示2.2pF、3?3表示3.3?F。有时用3位数字表示，前两位数字表示标称容量的有效数字，第三位表示有效数字后面零的个数，单位