《金属氧化物半导体场效应晶体管》课件.pptVIP

金属氧化物半导体场效应晶体管本课件将深入介绍金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的原理、结构、特性、应用和最新发展趋势，为学习者提供全面的了解。

课程目标和学习要点目标掌握MOSFET的基本原理和工作特性；了解MOSFET的结构和工艺制造流程；熟悉MOSFET在数字电路、模拟电路和功率电路中的应用。要点半导体物理基础MOS结构和表面反型层MOSFET的线性区和饱和区特性寄生效应和可靠性分析新型MOSFET结构

MOSFET的发展历史11920s晶体管的发明21950sMOSFET的首次提出31960s第一个实用型MOSFET问世41970sCMOS技术的诞生51980s微电子技术高速发展61990s至今新型MOSFET结构不断涌现

MOSFET在电子工业中的重要性应用广泛MOSFET是现代电子器件的核心，广泛应用于数字电路、模拟电路、功率电路、传感器等领域。性能优越与传统晶体管相比，MOSFET具有更高的集成度、更低的功耗、更快的速度、更强的抗辐射能力等优点。推动发展MOSFET技术的进步推动了微电子技术的快速发展，为现代信息技术和社会进步奠定了基础。

半导体物理基础半导体的概念导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，例如硅、锗。半导体的分类本征半导体（纯净）、掺杂半导体（添加杂质）载流子类型电子（负电荷）、空穴（正电荷）

半导体的能带结构价带电子在价带中运动，形成电流导带电子在导带中运动，形成电流禁带电子不能存在的能带范围

本征半导体和掺杂半导体本征半导体纯净的硅或锗，导电性很弱掺杂半导体向本征半导体中添加少量的杂质，提高导电性N型半导体添加五价元素（例如磷），增加电子浓度P型半导体添加三价元素（例如硼），增加空穴浓度

载流子浓度和迁移率载流子浓度单位体积内载流子的数量，决定导电能力迁移率载流子在电场作用下的移动速度，影响导电能力

PN结的形成原理N型半导体电子为主载流子1P型半导体空穴为主载流子2扩散载流子从高浓度区域向低浓度区域扩散3耗尽区载流子被消耗的区域，形成空间电荷区4内建电场由于空间电荷积累形成的电场，阻止载流子继续扩散5

PN结的能带图1能带弯曲由于PN结的势垒，能带在结区发生弯曲2费米能级在PN结平衡状态下，费米能级在两侧保持一致3势垒高度阻止载流子跨越PN结的能量高度

PN结的电流特性

MOS结构的基本概念1金属通常为铝或多晶硅，用作栅极材料2氧化物通常为二氧化硅，用作绝缘层3半导体通常为硅，作为MOSFET的沟道材料

金属-氧化物-半导体界面界面态由于界面不完美而产生的能量态，会影响MOSFET性能界面电荷在界面积累的电荷，影响表面势和反型层形成

能带弯曲和表面势0V无偏压能带水平+V正偏压能带向下弯曲-V负偏压能带向上弯曲

表面反型层的形成P型半导体多数载流子为空穴负偏压栅极积累负电荷，吸引半导体中的电子反型层半导体表面形成电子浓度高于空穴的区域，称为反型层

阈值电压的物理含义

MOS电容的工作原理累积区栅极电压为正，吸引半导体中的多数载流子，形成累积层耗尽区栅极电压为负，排斥半导体中的多数载流子，形成耗尽层反型区栅极电压继续增大，吸引足够多的少数载流子，形成反型层

累积区特性

耗尽区特性

反型区特性

MOSFET的基本结构

沟道形成机制N型MOSFET栅极电压为正，吸引电子，形成N型沟道P型MOSFET栅极电压为负，吸引空穴，形成P型沟道

线性区工作特性

饱和区工作特性

转移特性曲线

输出特性曲线

跨导和输出电导跨导栅极电压变化对漏极电流的影响，反映增益能力输出电导漏极电压变化对漏极电流的影响，反映输出阻抗

沟道长度调制效应1漏极电压增大沟道有效长度减小2漏极电流增大饱和区特性不再完全水平

体效应1衬底电压衬底电压变化影响阈值电压2阈值电压变化影响沟道形成和漏极电流

亚阈值特性

短沟道效应沟道长度减小沟道电场增强，影响阈值电压和漏极电流性能下降漏极电流增大，阈值电压降低，导致器件性能下降

漏致势垒降低漏极电压增大漏极与源极之间的势垒降低漏极电流增大影响饱和区特性

穿通效应沟道长度减小源极和漏极之间的电场穿透，影响阈值电压和沟道电流性能下降导致器件性能下降，需要采取相应的措施进行抑制

热载流子效应高电场在高电场下，载流子获得能量，发生碰撞和散射热载流子能量较高的载流子，导致栅极氧化层老化性能下降阈值电压漂移，漏电流增大，导致器件性能下降

栅极隧穿效应薄栅极氧化层栅极电压增大，电子可以隧穿通过氧化层1漏电流增大导致器件功耗增加，影响性能2

MOSFET的工艺制造1氧化工艺形成栅极氧化层2光刻工艺定义图形图案3刻蚀工艺去除不需要的部分4离子注入掺杂形成源极、漏极5金属化工艺形成连接线

氧化工艺热氧化将硅片在高温下暴露于氧气中，形成二氧化硅层等离子体氧化利用等离子体反应，在硅片表面沉积二氧化硅层控制参数温