高压快恢复二极管设计与研究.pdfVIP

摘要

功率半导体器件作为电力电子技术的核心，伴随着电力电子技术的飞速发展，

产业界对其的需求也越来越大。功率二极管作为功率半导体器件中最常见的一类，

在电力电子电路中主要用来整流和续流。随着高频电气中的IGBT和功率MOSFET

的广泛应用，对与之配合使用的功率二极管的提出了更高的性能要求。传统的Si

PiN二极管反向恢复性能较差，针对这样的需求，一种提升了SiPiN二极管反向恢

复性能的被称为快恢复二极管（FastRecoveryDiode，FRD）的功率二极管得到了

广泛应用。随着二极管技术的不断迭代，在中低压和中高频的应用领域，SiCJBS

二极管由于其较低的正向压降和零反向恢复的特点，已经有取代SiFRD的趋势。

可以将这两类器件概括为快恢复二极管的两种不同技术路线，即在传统Si基器件

上进行阳极注入效率控制的新结构技术和利用SiC材料的优势的新材料技术。本

文针对这两类器件的主要研究方向，设计和优化了一种新阳极结构的Si快恢复二

极管，同时也设计和研究了一种大电流SiCJBS二极管作为对比，比较了两者的反

向恢复特性。

本文首先对Si快恢复二极管进行了理论研究，重点研究了其反向恢复特性。

提出了一种使用阳极注入效率控制技术的P-缓冲层阳极结构二极管，为了验证新

阳极结构对二极管特性的优化效果，首先仿真优化出了基本PiN结构的快恢复二

极管作为对比，在这个结构基础上继续仿真优化，研究了阳极不同参数对其静态和

动态特性的影响，通过优化P-区宽度和掺杂浓度，P+区掺杂浓度，最终得到优化

后的P-缓冲层结构二极管。仿真结果显示在反向电压400V，电流变化率di/dt为

1000A/μs，正向电流30A的测试条件下，反向峰值电流约为8.0A，反向恢复时间

约为34ns，软度因子为1.384。

为了对比SiC材料制成的二极管与SiFRD性能的差异，文章接着对SiCJBS

二极管进行了理论和实验研究，根据实际条件预期设计并制造出一款650V/50A规

格的SiCJBS二极管。重点研究了SiCJBS二极管的正反向特性与P+区和肖特基

区尺寸的关系，更大的肖特基区尺寸虽然带来了更好的正向特性，但同时也增加了

器件的反向漏电流，因此需要对这两个参数进行优化设计。介绍了SiCJBS二极管

的流片工艺，测试了流片得到的SiCJBS二极管样品，符合设计要求。此外，比较

了SiCJBS二极管和SiFRD的反向恢复特性，讨论了两者在各种应用环境下的优

劣势，结果表明SiCJBS二极管具有更加优越的反向恢复特性和在高频应用下的

优势。对SiCJBS二极管进行了红外成像实验和功率循环实验，通过红外成像实验

观察到的实际温度分布存在不均匀性，讨论了SiCJBS存在的热可靠性问题。通过

功率循环实验验证了SiCJBS二极管在长期电热应力下的可靠性。最后对SiCJBS

二极管进行了浪涌电流实验，结果显示最大浪涌能力为305A。

关键词：FRD，PiN二极管，反向恢复，JBS二极管，功率循环

ABSTRACT

Withtherapiddevelopmentofpowerelectronictechnology,powersemiconductor

devicesasthecoreofpowerelectronictechnology,thedemandforitisincreasing.Asthe

mostcommontypeofpowersemiconductordevices,powerdiodeismainlyusedfor

rectificationandfreewheelinginpowerelectroniccircuits.Withthewideapplicationof

IGBTandpowerMOSFETinhighfrequencyelectrical,higherperformancerequirements

areputforwardforthepowe