嵌入摩擦焊下CuCGA焊点微组织及力学性能演变的研究.pdf

哈尔滨理工大学材料与化工硕士学位论文

嵌入摩擦焊下CuCGA焊点的显微组织及力学性能演变

的研究

摘要

随着电子产品向小型化、高功率、高可靠性方向发展，面阵列封装技术得到

广泛的应用。柱栅阵列（ColumnGridArray，CGA）封装较球栅阵列（BallGrid

Array，BGA）封装具有更高的封装高度，可以有效减小焊柱两端陶瓷基板与树

脂基板之间热膨胀系数差异引起的应力。随着无铅化的推广，Sn-Pb焊柱逐渐被

Cu柱所代替即铜柱栅阵列（CopperColumnGridArray，CuCGA）封装。目前

CuCGA封装中的Cu柱需要模具进行辅助定位，然后通过回流焊的方式进行植

柱。但模具拆卸过程中易损伤焊柱，并且精密模具成本高，通用性差。本文针对

这些问题，提出了无模具辅助的嵌入摩擦焊方法，首先通过回流焊实现SAC305

钎料球与焊盘互连，之后利用精密微型钻床夹持Cu柱并植入钎料焊球中，利用

焊接过程中的热-机作用实现Cu柱与钎料之间的固相连接。研究了嵌入摩擦焊

下焊点的显微组织和力学性能，同时考察了焊点在120℃下热老化过程中显微

组织及力学性能的演变。

在SAC305/Cu柱焊点中，Cu柱与SAC305钎料之间形成了金属间化合物

（IntermetallicCompound，IMC）界面层，实现了有效连接，平均连接强度为40.6N。

根据显微组织差异，将受到热-机耦合作用影响的钎料分为三个区域，搅拌混合

区（Stirring-mixingZone，SMZ）、热机影响区（Thermo-mechanicalAffectedZone，

TMAZ）、微变形区（Micro-deformationZone，MDZ），未受热-机耦合作用的为

母材（BaseMaterial，BM）。在SMZ中发生动态再结晶形成等轴晶，平均晶粒

尺寸约2μm，其中再结晶组织、变形组织和回复组织比例分别为63.3%、31.4%

和5.3%。TMAZ依据扫描电子显微镜（ScanningElectronMicroscope，SEM）照

片中拉长变形晶粒命名，但电子背散射衍射（ElectronBackscatterDiffraction,

EBSD）结果显示，TMAZ中β-Sn发生部分再结晶形成混晶组织，再结晶组织、

变形组织以及回复组织的比例约为47.8%、37.6%和14.6%。在SEM图中MDZ

显微组织与BM相似，但EBSD结果显示MDZ发生了动态回复，再结晶组织、

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变形组织和回复组织比例分别为19.1%、32.1%和48.8%。从MDZ到SMZ随着

再结晶比例的增加，位错密度降低，焊点的硬度也逐渐降低，SMZ、TMAZ、

MDZ和BM的平均硬度分别为151.5MPa、251.5MPa、267.3MPa、270.9MPa。

在热老化的过程中，界面IMC层逐渐变厚，随着老化时间的延长，界面处

有CuSn生成。通过对界面层厚度数据拟合发现，界面IMC的生长受晶界扩散

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和体扩散共同作用，这与SMZ的再结晶导致晶界数量增加有关。在SMZ、TMAZ

和BM中都发生了IMC颗粒粗化现象，SMZ和TMAZ均发生晶粒合并长大现

象。界面IMC层的变化导致SAC305/Cu柱焊点的连接强度先上升后下降。

为了改善连接效果，对Cu柱进行了热镀锡处理，使用镀锡Cu柱进行嵌入

摩擦焊。热镀锡Cu柱由Cu基底、CuSn界面层以及纯锡层构成。在焊接过程

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中摩擦界面由SAC305/Cu转变为SAC305/Sn，由于SAC305/Sn之间更易发生

粘着摩擦，摩擦产热增加。SAC305/镀锡Cu柱焊点的SMZ同样发生了动态再

结晶，但摩擦热的增加使再结晶比例增加至82.11%，变形组织和回复组织的比

例为4.77%和13.12%。镀锡层充当了摩擦