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1+X集成电路理论习题库+参考答案解析
一、单选题(共50题,每题1分,共50分)
1.在AD软件中,当项目被编译后,任何错误都将显示在()。
A、Message面板
B、Debug面板
C、Navigator面板
D、Project面板
正确答案:A
答案解析:在AD软件中,当项目被编译后,任何错误都将显示在Message面板中。Message面板用于显示与项目编译、分析等相关的各种信息,包括错误、警告等。Debug面板主要用于调试相关操作;Navigator面板用于浏览项目结构等;Project面板用于展示项目的文件层次结构等。所以答案是A。
2.最大不失真输出电压测试,输入信号步进值(),但测试时间会随输入电压步进值()。
A、越大越好,减小而减小
B、越大越好、增加而减小
C、越小越好、增加而增加
D、越小越好、减小而增加
正确答案:D
3.重力式外观检查是在()环节之前进行的。
A、编带
B、测试
C、分选
D、真空包装
正确答案:D
答案解析:重力式分选机设备芯片检测工艺流程:上料→测试→分选→编带(SOP)→外观检查→真空包装。
4.用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通过()可以得到高纯度的四氯化硅。
A、高温还原炉
B、单晶炉
C、精馏塔
D、多晶沉积设备
正确答案:C
答案解析:用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通常使用精馏法,精馏法是在精馏塔中实现的。
5.单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中热探针法可以测量单晶硅的()参数。
A、电阻率
B、直径
C、少数载流子寿命
D、导电类型
正确答案:D
答案解析:热探针法是通过在样品上施加一个热脉冲,利用不同导电类型半导体的Seebeck效应来确定样品的导电类型。它主要用于判断单晶硅的导电类型,而不是直接测量电阻率、直径和少数载流子寿命等参数。
6.在淀积时,反应气体的多少会影响淀积的速率及均匀性,因此需严格控制气体流量,通常采用()来实现精确控制。
A、质量流量计
B、气体流量计
C、电磁流量计
D、液体流量计
正确答案:A
答案解析:质量流量计能够精确测量和控制气体的质量流量,不受气体压力、温度等因素的影响,可实现对反应气体流量的精确控制,从而保证淀积的速率及均匀性。气体流量计一般只能测量体积流量,受温度、压力影响较大,不能精确控制。液体流量计用于测量液体流量,与反应气体无关。电磁流量计主要用于测量导电液体的流量,也不适用于反应气体流量控制。
7.重力式分选机的测试环节是在()中进行。
A、测试轨道
B、主转塔
C、水平面上
D、旋转台
正确答案:A
答案解析:重力式分选机的测试环节是在测试轨道中进行的。主转塔和旋转台是转塔式分选机的设备,平移式分选机是在水平面上完成芯片的测试、分选。
8.转塔式分选机设备的上料步骤正确的是:()。
A、芯片筛选→芯片吸取→待测芯片上料
B、待测芯片上料→芯片吸取→芯片筛选
C、芯片筛选→待测芯片上料→芯片吸取
D、待测芯片上料→芯片筛选→芯片吸取
正确答案:D
答案解析:转塔式分选机设备的上料步骤为:待测芯片上料→芯片筛选→芯片吸取。
9.使用重力式分选机设备进行芯片检测时,第一环节需进行()操作。
A、上料
B、分选
C、编带
D、外检
正确答案:A
答案解析:重力式分选机设备芯片检测工艺流程:上料→测试→分选→编带(SOP)→外观检查→真空包装。
10.晶圆检测工艺对环境的其中一项——温度的要求范围是()℃。
A、25±3
B、22±3
C、20±3
D、20±5
正确答案:B
答案解析:晶圆检测工艺对环境的要求:测试车间符合10万级洁净区标准,温度常年保持在22±3℃,湿度保持在45±15%。
11.晶圆检测工艺中,在进行上片之前需要进行()操作。
A、打点
B、扎针测试
C、加温、扎针调试
D、导片
正确答案:D
答案解析:晶圆检测工艺流程:导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。
12.当()时,可以确定花篮位置放置正确,花篮的卡槽与承重台密贴。
A、探针台上的位置指示灯亮
B、探针台前的绿色指示灯亮
C、探针台前的红色指示灯灭
D、探针台前的红色指示灯亮
正确答案:A
答案解析:当花篮的卡槽与承重台密贴时,探针台上的位置指示灯亮。探针台前的红色指示灯表示下降,绿色指示灯表示上升。
13.晶圆检测工艺中,在进行外检之前,需要进行的操作是()。
A、打点
B、真空入库
C、扎针测试
D、烘烤
正确答案:D
答案解析:晶圆检测工艺流程:导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。
14.在外检时,发现晶圆周边有指纹等印记时,用()进行剔除。
A、油墨笔
B、钢笔
C、铅笔
D、打点器
正确答案:D
答案解析:在外检时,发现晶圆周边有指纹等印
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