学时第三章二极管电路模型和稳压管.pptxVIP

13.3.2二极管的伏安(V-I)特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示硅二极管2CP10的V-I特性锗二极管2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向击穿特性

23.3.3二极管的参数(1)最大整流电流IF(2)反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM(3)反向电流IR(4)极间电容CJ（CB、CD）硅二极管2CP10的V-I特性IR

(a)势垒电容CB3描述势垒区的空间电荷随电压变化而产生的电容效应。CB正比于PN结的面积S，反比于耗尽区厚度?。势垒电容与结电阻并联，它只有在外加电压改变时才起作用，特别是外加电压的频率越高CB的作用就越明显。在PN结反向偏置时作用更明显。利用这种特性可做成各种变容二极管。

(b)扩散电容CD4扩散电容示意图C为CB与CD并联的总效果。当PN结处于正向偏置时，扩散运动使多数载流子穿过PN结，在对方区域PN结附近有高于正常情况时的电荷累积。存储电荷量的大小，取决于PN结上所加正向电压值的大小。离结越远，由于空穴与电子的复合，浓度将随之减小。若外加正向电压有一增量?V，则相应的空穴（电子）扩散运动在结的附近产生一电荷增量?Q，二者之比?Q/?V为扩散电容CD。

二极管的基本电路及其分析方法013.4.1简单二极管电路的图解分析方法023.4.2二极管电路的简化模型分析方法03

简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V-I特性曲线。

例电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。解：由电路的KVL方程，可得即是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点

83.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型当电源电压远高于二极管的管压降时用此模型。

93.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型（3）折线模型（a）V-I特性（b）电路模型vD?0.7V，当iD大于或接近1mA时，模型合理，应用最广。rD,Vth具有随机性Vth

二极管电路的简化模型分析方法二极管V-I特性的建模小信号模型vs=0时,Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。vs=Vmsin?t时（VmVDD）,将Q点附近小范围内的V-I特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。

11Q补充：正向导通的函数表达为：设系统的直流工作点Q为vD0，在Q附近进行Taylor展开：vD0当（vD-vD0)在小范围波动时，上述方程可近似为：iD0即：

123.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模（4）小信号模型过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）idvd？

133.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模（4）小信号模型小信号模型中研究的是信号的变化量小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT。（a）V-I特性（b）电路模型

模型分析法应用举例整流电路电路图（b）vs和vO的波形二极管电路的简化模型分析方法

2．模型分析法应用举例15（2）静态工作情况分析理想模型（R=10k?）当VDD=10V时，恒压模型（硅二极管典型值）折线模型（硅二极管典型值）设当VDD=1V时，（自看）（a）简单二极管电路（b）习惯画法注意与上面结论有差别！

2．模型分析法应用举例16限幅电路电路如图，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI=6sin?tV时，绘出相应的输出电压vO的波形。

2．模型分析法应用举例17（4）开关电路B,0V-12vA,3VDADBFR解：VB截止。DA称为嵌位二极管，DB隔离二极管。电路如图所示，已知VD=0.3V,求VF。例（5）低电压稳压电路（自学）利用的是二极管电流变化较大时其两端电压变化较小的原理。

2．模型分析法应用举例18（6）小信号工作情况分析图示电路中，VDD=5V，R=5k?，恒压降模型的VD=0.7V，vs=0.1sinwt