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SiCMOSFET雪崩耐量：原理、挑战与提升策略的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子系统中，随着对高效、高功率密度和高可靠性需求的不断增长，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其卓越的性能优势，逐渐成为关键的功率器件，在新能源汽车、可再生能源发电、智能电网、轨道交通以及航空航天等众多领域展现出巨大的应用潜力。

新能源汽车领域，SiCMOSFET被广泛应用于主驱逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器等核心部件。在主驱逆变器中，SiCMOSFET的高速开关特性能够显著提升电机的控制精度和动态响应性能，实现更高的功率密度和