焊接电工（第4版）课件：半导体晶体管.pptxVIP

半导体晶体管

半导体晶体管

晶体管是由两个PN结构成的三端半导体元件。

一、晶体管的结构

晶体管的外形及管脚极性如图4-6所示。晶体管可分为NPN型和PNP型两种类型，结构和图形符号见图4-7所示。分为三个区域：发射区、基区和集电区。引出三个管脚分别为发射极E、基极B和集电极C。靠近集电区的PN结称为集电结，靠近发射区的PN结称为发射结。发射极箭头方向代表三极管中电流的方向。

半导体晶体管

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二、晶体管的电流放大作用

三极管电流放大作用可用图4-8所示。

（1）

半导体晶体管

（4）晶体管的放大作用源自于其内部结构和必要的外部条件。这个外部条件是指外加电源使三极管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

（5）基极开路时，微小的集电极电流称为穿透电流，用表示。该值越小，晶体管质量越好。

三、晶体管的主要参数

1．极限参数

（1）集电极最大允许电流它是指晶体管正常工作时，集电极所允许的最大电流。

（2）集电极反向击穿电压基极开路时，集电极-发射极允许施加的最大电压。超过此值，晶体管会被击穿而损坏。

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（3）集电极最大允许耗散功率集电极电流流过集电结时。使结温升高，导致晶体管发热，引起晶体管参数变化。

2．静态参数

静态参数表明晶体管的直流特性。

（1）直流电流放大系数表征晶体管电流放大能力的参数。根据用途不同常在20～200之间选用。

（2）穿透电流为基极开路时，集电极-发射极间加上规定电压时，从集电极到发射极之间的电流，称穿透电流。其值受环境温度影响较大，它是衡量晶体管温度特性的最重要参数。其值越小，晶体管的温度特性越好。

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3．动态参数

描述晶体管在交流量激励控制下或脉冲驱动时的特性。动态参数有结电容、开关时间等。

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