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2025《肖特基二极管的正向导通特性（I-V特性）分析概述》1900字.docx

2025《肖特基二极管的正向导通特性（I-V特性）分析概述》1900字.docx

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    肖特基二极管的正向导通特性（I-V特性）分析概述

    1.1肖特基二极管载流子的运输

    肖特基二极管的电流的形成主要靠半导体一侧含量较多的载流子向载流子含量较少的金属一侧扩散而成，因此这种器件为多子器件，具有单向导通特性。当金属与p型半导体进行接触，此时的含量较多的载流子为空穴，而对于金属与n型半导体接触，此时器件中含量较多的则为电子。与少子器件不同的是，多子器件不存在少子寿命问题。

    对于肖特基二极管而言，当外加正向偏压时，由于受器件本身材料、器件结构，工作时的温度、电压等多重问题的影响，其内部电流产生机制并不单一，而是多种电流机制共同作用产生的结果，也就是说存在多种电流运输机制并存的情况。通常情

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