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电子技术基础期末综合测试卷

卷面总分：100分考试时间：120分钟

一、选择题（每题2分，共10题，满分20分）

二极管具有单向导电性，当给二极管加正向电压时，其导通压降（）

A.硅管约0.7V，锗管约0.2VB.硅管约0.2V，锗管约0.7V

C.硅管和锗管均约0.7VD.硅管和锗管均约0.2V

三极管工作在放大状态的条件是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏

基本共射放大电路中，若增大基极偏置电阻RB，三极管的（）

A.基极电流IB增大B.集电极电流IC增大

C.集电极电流IC减小D.发射极电流IE增大

集成运算放大器工作在线性区时，具有的特性是（）

A.虚短和虚断B.虚短和实断

C.实短和虚断D.实短和实断

下列电路中，不属于正弦波振荡电路的是（）

A.RC桥式振荡电路B.LC并联谐振振荡电路

C.反相比例运算电路D.石英晶体振荡电路

单相半波整流电路中，若输入交流电压的有效值为U2，则输出直流电压的平均值约为（）

A.0.45U2B.0.9U2C.1.2U2D.U2

稳压二极管工作在（）状态时，才能起到稳定电压的作用

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.正向截止

对于NPN型三极管，当基极电流IB增大时，集电极电流IC的变化趋势是（）

A.减小B.增大C.不变D.无法确定

共集电极放大电路的特点是（）

A.电压放大倍数大于1，输入电阻小，输出电阻大

B.电压放大倍数小于1且近似等于1，输入电阻大，输出电阻小

C.电压放大倍数大于1，输入电阻大，输出电阻小

D.电压放大倍数小于1且近似等于1，输入电阻小，输出电阻大

在运算放大器组成的反相比例运算电路中，若输入电阻为R1，反馈电阻为RF，则电路的电压放大倍数为（）

A.RF/R1B.-RF/R1C.R1/RFD.-R1/RF

二、填空题（每空2分，共10空，满分20分）

N型半导体的多数载流子是（），P型半导体的多数载流子是（）。

三极管的电流放大倍数β表示（）电流与（）电流的比值。

集成运放的输入失调电压越小，表明运放的（）性能越好；输入失调电流越小，表明运放输入级的（）对称性越好。

正弦波振荡电路要产生振荡，必须满足（）条件和（）条件。

单相桥式整流电容滤波电路中，若负载开路，则输出直流电压约为输入交流电压有效值的（）倍；若负载电阻很小，则输出直流电压约为输入交流电压有效值的（）倍。

三、判断题（每题1分，共10题，满分10分）

二极管只要加上正向电压就会导通。（）

三极管工作在放大区时，发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。（）

基本共射放大电路中，输出电压与输入电压的相位相反。（）

集成运放工作在非线性区时，也具有虚短和虚断的特性。（）

稳压二极管的稳定电压值是固定不变的，不受温度等外界因素影响。（）

LC并联谐振电路在谐振时，阻抗最大且呈纯电阻性。（）

单相半波整流电路的输出电压脉动较大，而单相桥式整流电路的输出电压脉动较小。（）

共基极放大电路的电压放大倍数与共射极放大电路相近，但电流放大倍数小于1。（）

运算放大器组成的同相比例运算电路，其输入电阻比反相比例运算电路的输入电阻小。（）

直流稳压电源一般由整流、滤波和稳压三个部分组成。（）

四、简答题（每题5分，共4题，满分20分）

简述二极管的单向导电性。

简述三极管放大电路的静态分析和动态分析的目的。

简述集成运放构成的反相比例运算电路和同相比例运算电路的特点。

简述RC桥式正弦波振荡电路的组成和起振条件。

五、计算题（每题10分，共2题，满分20分）

已知某共射极放大电路中，电源电压VCC=12V，基极偏置电阻RB=300kΩ，集电极电阻RC=3kΩ，三极管的电流放大倍数β=50，忽略三极管的发射结电压UBE。试计算：

（1）基极电流IBQ；

（2）集电极电流ICQ；

（3）集电极-发射极电压UCEQ；

（4）电压放大倍数Au。

如图所示为集成运放组成的加减运算电路，已知R1=R2=R3=10kΩ，RF=20kΩ，输入电压ui1=2V，ui2=1V，ui3=-3V。试计算输出电压uo。

电子技术基础期末综合测试卷答案

一、选择题（每题2分，共10题，满分20