结型场效应管介绍.pptVIP

1.N沟道耗尽型予埋了导电沟道（正离子），在P型衬底表面形成反型层（N型）。∴在vGS＝0时，就有感生沟道，当VDS＞0时，则有iD通过。gsdNgsdPNeee4.3.2耗尽型MOSFET第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日2.P沟道耗尽型NPPgsdgsd予埋了导电沟道（负离子）第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日3.耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的N沟道MOS管VGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。转移特性曲线0iDVGSVP第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线iDvDS0vGS=0vGS0vGS04.3.3各种FET的特性比较及使用注意事项。（见P173－P175）栅源电压可正可负。第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管介绍第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。主要用于大规模和超大规模集成电路中。单极型晶体管常用于数字集成电路第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管分类：第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应管?结构?工作原理?输出特性?转移特性?主要参数4.1.1JFET的结构和工作原理4.1.2JFET的特性曲线及参数(JunctiontypeFieldEffectTransisstor)第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号4.1.1JFET的结构和工作原理4.1结型场效应管1.结构#符号中的箭头方向表示什么？第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理（以N沟道为例）vDS=0V时NGSDvDSVGSNNPPiDPN结反偏，VGS越负,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。①VGS对沟道的控制作用第6页，共46页，星期日，2025年，2月5日VDSNGSDVGSPPiDVGS达到一定值时耗尽区碰到一起，DS间的导电沟道被夹断。当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。VGS继续减小对于N沟道的JFET，VP0。第7页，共46页，星期日，2025年，2月5日NGSDVDSVGSNNiDVDS=0V时PP②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS??iD?G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。第8页，共46页，星期日，2025年，2月5日NGSDVDSVGSPP越靠近漏端，PN结反压越大iD当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变第9页，共46页，星期日，2025年，2月5日GSDVDSVGSPPiDN③VGS和VDS同时作用时VGS越小耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。iD减小。当VPVGS0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，iD的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP第10页，共46页，星期日，2025年，2月5日综上分析可知沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。4.1结型场效应管#为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG?0，输入电阻很高。第11页，共46页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应管#JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？4.1.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性VP1.输出特性第12页，共