太赫兹共振隧穿二极管的理论和实验研究.pdfVIP

摘要

太赫兹技术是21世纪的一项重要的高新技术科研领域，太赫兹波相较于其他

波段的电磁波具有独特的优越性，故此项技术在安全检查、高速通信、医疗、军事

等领域有着宽广的应用前景。太赫兹源作为太赫兹系统的重要组成部分，对其开展

深入研究非常重要。共振隧穿器件被认为是半导体太赫兹源中最具潜力的器件之

一，本文主要聚焦于共振隧穿二极管(ResonantTunnelingDiode，RTD)的相关理论

研究和实验研究，完成的研究和取得的成果如下:

1.研究了RTD器件的材料结构及各组成部分所起到的作用，对RTD器件所

涉及的相关模型和基本工作原理进行简要的分析，并对RTD器件的重要电学参数

做了简要介绍。使用Silvaco-ATLAS软件建立了RTD器件的模型，引入非平衡格

林函数和泊松方程等模型对其进行理论仿真，得到了I-V曲线、隧穿系数等仿真结

果。在仿真中，通过改变RTD器件的势阱厚度、势垒厚度、隔离层厚度和掺杂浓

度等参数，得到了RTD器件的电学特性受这些参数影响的规律。

2.根据前面的理论基础，设计出RTD的器件结构，并优化了具体的制备方法，

针对工艺步骤、工艺参数、基本的工艺原理和工艺对应的版图进行了深入的研究。

为提升RTD器件的性能，分别使用了AuGe/Ni/Au和Ti/Pt/Au两种金属体系进行

欧姆接触的工艺制作，并对测试结果进行了理论分析，AuGe/Ni/Au金属体系对

GaAs基RTD器件的欧姆接触效果更好。

3.RTD器件的台面面积对其性能和太赫兹源方面的应用有着重要的影响。研

究了不同台面面积的RTD器件的电学特性变化规律，发现RTD的峰谷电流比会

随着台面面积的减小而增大，若要提高器件性能和振荡频率，也需要适当减小RTD

台面面积。而随着台面面积的减小，RTD器件的负微分电导也会随之减小。

4.制备RTD的空气桥结构便于控制RTD的台面面积，同时空气桥也是缝隙

天线型太赫兹振荡器的常用结构，本文开展了该结构的制备实验，对实验现象进行

了分析并提出了相应的优化方向，最后对缝隙天线型的太赫兹振荡器进行相关的

理论研究，并用HFSS软件进行仿真。

关键词：共振隧穿二极管，太赫兹技术，空气桥，GaAs，双势垒单势阱

ABSTRACT

Terahertztechnologystandsasapivotalhigh-techresearchdomaininthe21st

century,owingtothedistinctiveadvantagesofterahertzwavesoverotherfrequency

bands.Thistechnologyholdsimmensepotentialforapplicationsinsecurityinspection,

high-speedcommunication,medicaltreatment,militaryoperations,andvariousother

fields.In-depthexplorationofterahertzsourcesisimperativewithinthebroaderterahertz

system.TheResonantTunnelingdeviceemergesasoneofthemostpromisingdevicesin

semiconductorterahertzsources.Thisthesisprimarilydelvesintotheoreticaland

experimentalresearchontheResonantTunnelingDiode(RTD).Thecompletedresearch

andachievementsareasfollows:

1.ThematerialstructureandfunctionofeachpartoftheRTDdeviceareinvestig