太赫兹InP HEMT器件建模关键技术研究.pdfVIP

摘要

伴随着技术的发展，拥有海量频谱资源的太赫兹频段在通信、雷达等多个领

域的重要性日益凸显。在太赫兹通信、雷达等系统中，接收前端是重要组成部分，

而InPHEMT器件所具有的高电子迁移率、频率特性优秀、噪声特性优秀等特点，

正是其绝佳选择，并且其在国防、大气科学、射电天文学都具有远大的前途。晶

体管模型作为电路设计与器件之间的桥梁，模型精确度直接决定电路的可靠性，

所以建立高精度的器件模型相当重要。故对此方向展开研究，内容如下：

1.针对传统基于S参数TRL算法精度较低、T矩阵法无法获得左右两个误差

网络的问题，提出了基于S参数推导过程的改进TRL方法。该方法采用S参数推

导，与传统TRL、Open-Short、L-2L去嵌方法进行交叉验证，进而实现在太赫兹

频段在片测试中焊盘、输入输出传输线等的去嵌操作。实现了在75-110GHz范围

片内测试数据幅度相位均方根误差分别小于0.015dB、5.5°。

2.针对模型可适用于太赫兹频段的需求，采用20元件小信号模型电路拓扑

结构对晶体管S参数进行表征，并基于Cold-Fet法结合误差扫描算法对寄生参数

进行提取。在电磁仿真软件中对小信号模型进行搭建与仿真，实现了在0.2-

°

250GHz频段内仿真与测试数据幅度及相位均方根误差分别小于1.1dB、15。

3.针对传统噪声模型局限于模拟热噪声，无法模拟太赫兹InPHEMT器件在

40GHz以下随频率增加NFmin减小的技术瓶颈，提出了基于噪声矩阵的多项式拟

合噪声模型。该模型对寄生参数网络进行了噪声去嵌，计算得到本征端面噪声源，

并采用多项式对噪声电流源进行拟合。初步发现栅极噪声电流与栅电流有关，漏

极噪声电流与频率成反比例关系。实现了10-40GHz频段内NFmin仿真与测试小

于0.08dB的均方根误差。

4.针对改进后的多项式模型无法模拟在特定高漏压偏置条件下（比如

Vds=1.0V，Vgs=0.4V）碰撞电离效应造成的低频S参数的变化以及无法对漏极噪

声电流源作出物理解释，采用了基于碰撞电离效应的噪声模型。该模型添加了压

控电流源和RC串联电路模拟低频下的S参数，并解释漏极噪声电流源来源于碰

撞电离噪声和沟道热噪声，将2-10GHz下S22幅度的对称百分比误差由27.602%

改善到3.1%，实现NFmin仿真与测试数据均方根误差小于0.14dB。

关键词：InPHEMT，太赫兹，改进S参数TRL去嵌，多项式噪声模型，碰撞电

离模型

ABSTRACT

Theimportanceoftheterahertzfrequencybandwithitsvastspectrumresources

hasbecomeincreasinglyprominentinvariousfieldssuchascommunicationandradar

duetotechnologicaladvancements.Interahertzcommunication,radar,andother

systems,thereceivingsystemplaysacrucialrole.TheInPHEMTdevice,knownforits

highelectronmobility,excellentfrequencycharacteristics,andsuperiornoise

characteristics,isconsideredtheoptimalchoiceandholdsgreatpotentialinnational

defense,atmosphericscience,andradioastronomy.Asacriticalli