WOx-RRAM：制备工艺、阻变机理与性能优化的深度探究.docxVIP

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2025-10-20 发布于上海
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WOx-RRAM：制备工艺、阻变机理与性能优化的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，数据存储技术作为信息产业的核心支撑，其重要性不言而喻。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的蓬勃兴起，对数据存储的需求呈现出爆发式增长，不仅要求存储设备具备更高的存储密度以应对海量数据的存储挑战，还期望其拥有更低的写入功耗来降低能源消耗，同时需要具备更长的存储保持时间以确保数据的长期稳定性，以及更高的读取速度来满足实时数据处理的需求。

阻变存储器（RRAM）作为一种极具潜力的新兴非挥发性存储器，在这一背景下应运而生，成为了学术界和工业界共同关注的焦点。与目前主流的闪存存储器相