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锑掺杂氧化锡纳米颗粒及其分散体：制备工艺与性能调控的深度研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，锑掺杂氧化锡（AntimonyDopedTinOxide，ATO）纳米颗粒及其分散体凭借独特的性能优势，占据着极为重要的地位。ATO纳米颗粒作为一种n型半导体材料，是在氧化锡（SnO_2）的基础上，通过锑（Sb）原子的掺杂而形成。SnO_2本身具备良好的化学稳定性、热稳定性以及较高的机械强度，而锑的掺杂则赋予了其更为优异的电学性能，使其成为一种兼具良好导电性与光学透明性的功能材料。

ATO纳米颗粒的导电性源于锑原子的掺杂。在SnO_2晶格中，部分锡原子被锑原子取代，由于