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(2025年)集成电路制造工艺考试练习题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪项不是光刻工艺中影响分辨率的关键参数？

A.光源波长λ

B.掩膜版透过率

C.投影物镜数值孔径NA

D.工艺因子k1

答案：B

2.离子注入后进行退火的主要目的是？

A.激活掺杂剂并修复晶格损伤

B.增加注入离子的浓度

C.降低衬底表面反射率

D.提高氧化层生长速率

答案：A

3.关于化学机械平坦化（CMP），以下描述错误的是？

A.同时涉及化学腐蚀和机械研磨

B.用于全局平坦化而非局部平坦化

C.抛光液的pH值会影响材料去除速率

D.铜互连工艺中CMP需控制过抛量以避免凹坑缺陷

答案：B

4.以下哪种薄膜沉积技术主要依赖等离子体激活反应？

A.低压化学气相沉积（LPCVD）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.分子束外延（MBE）

D.物理气相沉积（PVD）

答案：B

5.深紫外（DUV）光刻中常用的光源波长是？

A.436nm（G线）

B.365nm（I线）

C.248nm（KrF）

D.193nm（ArF）

答案：C（注：2025年考试中需注意EUV已逐步应用，但DUV仍为基础考点）

6.湿法刻蚀与干法刻蚀相比，主要优势是？

A.各向异性好

B.刻蚀速率高

C.对衬底损伤小

D.线宽控制精度高

答案：B

7.CMOS工艺中，浅沟槽隔离（STI）的主要作用是？

A.防止源漏穿通

B.提高载流子迁移率

C.隔离相邻晶体管

D.降低栅极电阻

答案：C

8.高k栅介质替代传统SiO?的主要原因是？

A.提高介电常数以降低等效氧化层厚度（EOT）

B.增加栅极与沟道的隧穿电流

C.简化栅极制备工艺

D.降低材料成本

答案：A

9.以下哪种掺杂技术可实现超浅结（结深50nm）？

A.热扩散

B.常规离子注入

C.等离子体浸没离子注入（PIII）

D.固相扩散

答案：C

10.铜互连工艺中，为什么需要沉积扩散阻挡层？

A.防止铜向介质层扩散导致漏电

B.提高铜的电导率

C.增强铜与介质层的附着力

D.A和C

答案：D

二、填空题（每空1分，共20分）

1.光刻工艺的核心步骤包括：涂胶、______、曝光、显影、______。（答案：软烘；坚膜）

2.离子注入机的主要组成部分有：离子源、______、加速管、扫描系统和______。（答案：质量分析器；靶室）

3.化学气相沉积（CVD）的反应类型可分为热分解、______和______。（答案：还原反应；氧化反应）

4.刻蚀工艺的关键参数包括刻蚀速率、______、选择比和______。（答案：各向异性比；均匀性）

5.氧化工艺中，干氧氧化与湿氧氧化相比，氧化层的______更好，但生长速率______。（答案：致密性；较慢）

6.先进封装技术中，硅通孔（TSV）的主要作用是实现______互连，降低______。（答案：三维；信号延迟）

7.EUV光刻的光源波长为______nm，其光学系统需在______环境中工作以避免吸收。（答案：13.5；真空）

8.多晶硅栅极的掺杂通常在______工艺中完成，目的是降低______。（答案：离子注入；栅极电阻）

9.金属化工艺中，铝互连的主要缺点是______和______，因此被铜互连逐步替代。（答案：电迁移；电阻率较高）

10.工艺控制监测（PCM）中，常用的测试结构包括______和______（如四探针测试结构、晶体管特性测试结构）。（答案：电阻测试结构；电容测试结构）

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述光刻工艺中“套刻误差（OverlayError）”的定义及其对集成电路制造的影响。

答案：套刻误差指相邻光刻层之间图形的对准偏差。影响包括：（1）关键层（如栅极与源漏层）套刻误差过大会导致器件尺寸偏移，影响阈值电压和驱动电流；（2）金属互连接口套刻误差会增加接触电阻甚至导致断路；（3）先进工艺（如5nm以下）中，套刻误差需控制在2-3nm以内，否则会显著降低良率。

2.比较热扩散与离子注入两种掺杂技术的优缺点。

答案：热扩散优点：设备简单、成本低；掺杂均匀性好；适用于大面积掺杂。缺点：温度高（900-1200℃），易导致杂质再分布；结深控制精度低（难以实现超浅结）；掺杂浓度受固溶度限制。离子注入优点