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(2025年)集成电路工艺考试题及答案

一、选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种光刻技术分辨率最高？

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：D。电子束光刻具有极高的分辨率，能够实现纳米级别的图案化，相比紫外光刻、深紫外光刻和极紫外光刻，其分辨率优势明显。紫外光刻分辨率一般在微米级别；深紫外光刻可达到亚微米级别；极紫外光刻虽然分辨率也很高，但目前仍有一些技术挑战，整体分辨率不如电子束光刻。

2.硅片清洗过程中，常用的RCA清洗法中SC-1溶液的主要成分是（）

A.NH?OH+H?O?+H?O

B.HCl+H?O?+H?O

C.HF+H?O

D.H?SO?+H?O?

答案：A。RCA清洗法中，SC-1溶液由NH?OH（氨水）、H?O?（双氧水）和H?O（水）组成，主要用于去除硅片表面的颗粒杂质和有机污染物。HCl+H?O?+H?O是SC-2溶液的成分，用于去除金属杂质；HF+H?O用于去除硅片表面的氧化层；H?SO?+H?O?常用于去除有机物和部分金属杂质，但不是SC-1溶液的成分。

3.离子注入过程中，用于控制注入离子能量的部件是（）

A.离子源

B.质量分析器

C.加速管

D.扫描系统

答案：C。加速管的作用是对离子进行加速，从而控制注入离子的能量。离子源主要是产生离子；质量分析器用于选择特定质量的离子；扫描系统则是使离子束均匀地扫描在硅片表面。

4.化学气相沉积（CVD）中，以下哪种气体常用于生长二氧化硅薄膜？

A.SiH?+O?

B.SiCl?+H?

C.PH?

D.B?H?

答案：A。SiH?（硅烷）和O?（氧气）在化学气相沉积过程中反应可以生长二氧化硅薄膜。SiCl?+H?常用于硅的外延生长；PH?（磷化氢）是常用的n型掺杂气体；B?H?（乙硼烷）是常用的p型掺杂气体。

5.以下哪种刻蚀方法属于各向异性刻蚀？

A.湿法刻蚀

B.等离子体刻蚀

C.化学机械抛光

D.热氧化刻蚀

答案：B。等离子体刻蚀具有各向异性的特点，能够在垂直方向上进行精确的刻蚀，适合制作精细的图案。湿法刻蚀一般是各向同性刻蚀，会在横向和纵向同时刻蚀；化学机械抛光主要用于表面平坦化，不是刻蚀工艺；热氧化刻蚀并不是常见的刻蚀方法。

6.金属化工艺中，常用的阻挡层材料是（）

A.Al

B.Cu

C.TiN

D.Au

答案：C。TiN（氮化钛）常作为金属化工艺中的阻挡层材料，它可以防止金属原子（如Cu）扩散到硅衬底中，影响器件性能。Al（铝）和Cu（铜）是常用的金属互连材料；Au（金）在一些特殊应用中有使用，但不是常用的阻挡层材料。

7.双极型晶体管的三个极分别是（）

A.源极、漏极、栅极

B.发射极、基极、集电极

C.阳极、阴极、门极

D.正极、负极、中性极

答案：B。双极型晶体管的三个极是发射极、基极和集电极。源极、漏极、栅极是场效应晶体管的三个极；阳极、阴极、门极是晶闸管等器件的电极；正极、负极、中性极不是晶体管的电极名称。

8.光刻工艺中，光刻胶的主要作用是（）

A.保护硅片表面

B.作为刻蚀掩膜

C.提高硅片导电性

D.促进离子注入

答案：B。光刻胶在光刻工艺中作为刻蚀掩膜，通过光刻曝光和显影等步骤，在硅片表面形成所需的图案，后续刻蚀过程中，光刻胶未被去除的部分可以保护下面的材料不被刻蚀。它并不能提高硅片导电性，也不是用于促进离子注入，虽然在一定程度上可以保护硅片表面，但主要作用还是作为刻蚀掩膜。

9.以下哪种工艺可以用于改善硅片表面的平整度？

A.离子注入

B.光刻

C.化学机械抛光

D.等离子体刻蚀

答案：C。化学机械抛光（CMP）是专门用于改善硅片表面平整度的工艺，通过化学腐蚀和机械研磨的共同作用，使硅片表面达到高度的平坦。离子注入是用于掺杂；光刻是用于图案化；等离子体刻蚀是用于去除材料形成图案，都不能改善表面平整度。

10.以下哪种现象会导致集成电路中的闩锁效应？

A.热载流子效应

B.寄生晶闸管效应

C.量子隧穿效应

D.库仑阻塞效应

答案：B。寄生晶闸管效应会导致集成电路中的闩锁效应。当电路中形成寄生的晶闸管结构时，在一定条件下会触发闩锁，导致电路出现异常大的电流，可能损坏器件。热载流子效应会影响器件的性能和可靠性；量子隧穿效应主要在纳米尺度器件中会有明显影响；库仑阻塞效应主要在单电子晶体管等器件中出现。

二、填空题（每题3分，共30分）

1.集成电路制造中，常用的衬底材料是______。

答案：单晶硅。单晶硅具有良好的电学性能和机械性能，是集成电路制造中最常