第二章光学曝光技术讲课文档.pptVIP

掩膜版上用于Stepper对准的套刻标记第28页，共45页。掩膜版上的参照标记第29页，共45页。掩膜版的制备通常采用电子束直写的方式把高分辨率的图形转印到掩膜版表面。电子源产生的电子被加速并聚焦成形射到投影掩膜版上。电子束可以通过光栅扫描或矢量扫描的方式在掩膜版上形成图形。掩膜版上的电子束胶在曝光显影后，通过湿法或干法刻蚀去掉不需要的铬层。第30页，共45页。CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形数字图形×4或×5投影光刻版（reticle）投影式光刻×1掩膜版（mask）制作接触式、接近式光刻掩膜版制作第31页，共45页。掩模版制作过程：是一个微纳加工过程12.Finished第32页，共45页。第1页，共45页。光刻工艺的基本流程第2页，共45页。第二章光学曝光技术光学曝光的工艺过程光学曝光的方式和原理光刻胶的特性光学掩膜的设计与制造短波长曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术光学曝光分辨率增强技术光学曝光的计算机模拟技术其它光学曝光技术厚胶曝光技术LIGA技术东南大学·南京MEMS教育部重点实验室第3页，共45页。（1）接触式光学曝光技术东南大学·南京MEMS教育部重点实验室优点：设备简单，分辨率高（约1μm）。缺点：掩模寿命短（10~20次），硅片上图形缺陷多，光刻成品率低。第4页，共45页。（2）接近式光学曝光技术东南大学·南京MEMS教育部重点实验室优点：掩模寿命长（可提高10倍以上），图形缺陷少。缺点：衍射效应使分辨率下降。第5页，共45页。（3）投影式光学曝光技术投影式曝光的优点：掩模寿命长。可以在不十分平整的大晶片上获得高分辨率的图形。掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制造简单，可减少掩模上的缺陷对芯片成品率的影响。投影式曝光的缺点：设备复杂、昂贵，曝光效率低。步进式投影光刻投影式光刻第6页，共45页。光刻工艺的相关光学基础光在空间中以电磁波的形式传播当物体的尺寸远大于波长时，把光作为粒子来处理当物体的尺寸和波长可比拟时，要考虑光的波动性－衍射光的衍射效应光的衍射影响分辨率，决定分辨率极限：第7页，共45页。如果想在像平面(如光刻胶）对小孔进行成像，可以用透镜收集光并聚焦到像平面第8页，共45页。数值孔径(NumericalApertureNA)光学系统的数值孔径描述透镜收集光的能力n是透镜到硅片间介质的折射率，对空气而言为1分辨率第9页，共45页。分辨率-ResolutionK1是一个独立于光学成像的因子，取决于光刻系统和光刻胶的性质等其它因素一般来说，最小线宽K1＝0.6~0.8第10页，共45页。然而采用高数值孔径的光学系统(大透镜），会使景深变差第11页，共45页。焦深（DoF）焦深就是聚焦深度（DepthofFocus），它是指沿着光通路，圆片可以移动而依然保持图形聚焦清晰的移动距离。对于投影系统，焦深由下式给出：k2+-光刻胶膜焦深焦平面透镜焦点是沿透镜中心出现最佳图像的点，焦深是焦点上面和下面的一个范围。焦点可能不是正好在光刻胶层的中心，但是焦深应该穿越光刻胶层上下表面。第12页，共45页。NGL:X射线(5?)，电子束(0.62?)，离子束(0.12?)光源波长?(nm)术语技术节点汞灯436g线0.5mm汞灯365i线0.5/0.35mmKrF(激光)248DUV0.25/0.13mmArF(激光)193193DUV90/65…32nmF2(激光)157VUVCaF2lenses激光激发Xe等离子体13.5EUVReflectivemirrors光源第13页，共45页。第二章光学曝光技术光学曝光的工艺过程光学曝光的方式和原理光刻胶的特性光学掩膜的设计与制造短波长曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术光学曝光分辨率增强技术光学曝光的计算机模拟技术其它光学曝光技术厚胶曝光技术LIGA技术东南大学·南京MEMS教育部重点实验室第14页，共45页。光刻胶基本成分光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性