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《传感器与检测技术》期末考试试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下关于传感器静态特性的描述中，错误的是（）。

A.线性度是指传感器输出-输入特性曲线与理想直线的偏离程度

B.灵敏度是输出变化量与输入变化量的比值

C.迟滞反映传感器在正、反行程中输出-输入特性曲线的不重合程度

D.重复性是指传感器在相同条件下，输入按同一方向连续多次变化时输出的不一致程度

2.应变片的工作原理基于（）。

A.压电效应B.压阻效应C.应变电阻效应D.霍尔效应

3.热电偶测温时，若冷端温度无法保持为0℃，常用的补偿方法是（）。

A.电桥补偿法B.热敏电阻补偿法C.冰浴法D.计算修正法

4.电容式传感器中，变极距型传感器的灵敏度与初始极距的关系是（）。

A.灵敏度与初始极距成正比B.灵敏度与初始极距成反比

C.灵敏度与初始极距的平方成反比D.灵敏度与初始极距的平方成正比

5.霍尔传感器的输出电压与（）无关。

A.激励电流B.磁感应强度C.载流子浓度D.传感器厚度

6.压电式传感器适用于测量（）。

A.静态力B.动态力C.恒定压力D.直流信号

7.电涡流传感器属于（）类型。

A.电容式B.电感式C.压电式D.光电式

8.以下哪种传感器可用于非接触式测量位移？（）

A.电阻应变式传感器B.电感式传感器（变气隙型）

C.电涡流传感器D.压阻式传感器

9.测量电路中，差动电桥相比单臂电桥的主要优点是（）。

A.提高灵敏度B.简化电路C.降低成本D.减小非线性误差

10.光电传感器中，光电池的工作模式是（）。

A.光伏模式（无偏置）B.光电导模式（反向偏置）

C.光生伏特模式（正向偏置）D.暗电流模式（零偏置）

二、填空题（每空1分，共20分）

1.传感器一般由敏感元件、转换元件和信号调理电路三部分组成。

2.传感器的动态特性指标主要包括时间常数、上升时间、超调量和频率响应特性。

3.金属应变片的灵敏度系数由几何尺寸变化引起的电阻变化和材料电阻率变化引起的电阻变化共同决定；半导体应变片的灵敏度系数主要由压阻效应决定。

4.电感式传感器可分为变气隙式、变面积式和螺管式三种类型，其中螺管式的测量范围最大。

5.热电偶的基本定律包括均质导体定律、中间导体定律和中间温度定律，利用中间温度定律可实现冷端温度补偿。

6.电容式传感器的寄生电容会导致灵敏度降低和非线性误差增大，常用的抑制方法有驱动电缆法和整体屏蔽法。

7.磁电式传感器基于电磁感应定律，适用于测量振动速度或转速。

三、简答题（每题6分，共30分）

1.简述电阻应变片测量电路中采用差动电桥的原因。

答：差动电桥通过将两个应变片分别接入电桥的相邻桥臂（半桥差动）或相对桥臂（全桥差动），利用应变片的反向应变（如一个受拉、一个受压）实现输出电压的叠加。其优点包括：①消除共模干扰（如温度变化引起的应变片电阻漂移）；②提高灵敏度（半桥差动灵敏度为单臂电桥的2倍，全桥为4倍）；③减小非线性误差（单臂电桥存在非线性误差，差动电桥通过正负应变抵消非线性项）。

2.比较压电式传感器与压阻式传感器的工作原理及应用场景。

答：压电式传感器基于压电效应（某些晶体在机械应力作用下表面产生电荷），输出为电荷或电压信号，适用于动态力、加速度测量（因静态测量时电荷会泄漏）；压阻式传感器基于压阻效应（半导体材料在应力作用下电阻率变化），输出为电阻变化信号，需配合电桥测量，适用于静态或低频压力、加速度测量（如汽车胎压监测、电子秤）。

3.说明光电传感器中“光调制”技术的作用及常用调制方法。

答：光调制技术通过对光源的光强、频率或相位进行周期性调制，可有效抑制环境光干扰（如自然光、灯光的直流或低频分量）。常用方法包括：①幅度调制（如方波调制光源电流）；②频率调制（将光信号转换为特定频率的交流信号，通过带通滤波器提取）；③相位调制（利用锁相放大器检测与调制信号同频同相的分量）。

4.分析电感式传感器中“零点残余电压”的产生原因及抑制措施。

答：零点残余电压是指电感式传感器在输入量为零时输出不为零的现象。产生原因：①传感器两线圈的电气参数（如电感、内阻）不完全对称；②磁路不对称（如铁芯材料不均匀、气隙分布不均）；③寄生电容（线圈与外壳、铁芯间的分布电容）引入的耦合干扰。抑制措施：①设计时保证线圈和磁路的对称性；②采用补偿电路（如在输出端并联电阻或电容，