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2025年电子导论期末试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.某线性电阻元件两端电压为12V时，通过电流为3A；当电压降至6V时，其电阻值为（）。

A.2ΩB.4ΩC.6ΩD.8Ω

2.本征半导体中自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

3.逻辑函数F=AB+AC+BC的最简与或表达式为（）。

A.AB+ACB.A+B+CC.AB+BCD.A(B+C)

4.共射极放大电路中，若静态工作点设置过高，易出现（）。

A.截止失真B.饱和失真C.交越失真D.频率失真

5.以下元件中，属于储能元件的是（）。

A.电阻B.电容C.二极管D.三极管

6.数字电路中，三态门的第三种状态是（）。

A.高电平B.低电平C.高阻态D.悬浮态

7.若正弦交流电压表达式为u(t)=220√2sin(314t+30°)V，则其有效值为（）。

A.220VB.311VC.110VD.155V

8.运算放大器构成积分电路时，反馈元件应为（）。

A.电阻B.电容C.电感D.二极管

9.半导体PN结加正向偏置时，空间电荷区（）。

A.变宽B.变窄C.不变D.先宽后窄

10.以下不属于组合逻辑电路的是（）。

A.编码器B.译码器C.寄存器D.加法器

二、填空题（每空2分，共20分）

1.基尔霍夫电流定律（KCL）的本质是______守恒。

2.半导体的导电能力随温度升高而______（填“增强”或“减弱”）。

3.逻辑代数中，A+A=______，A·A=______。

4.放大电路的通频带是指幅频特性曲线中增益下降至中频增益的______倍时对应的频率范围。

5.二进制数1011转换为十进制数是______。

6.理想运算放大器的两个重要特性是______和______。

7.正弦交流电的三要素是______、______和初相位。

三、简答题（每题8分，共32分）

1.简述PN结的单向导电性及其形成原理。

2.比较共射极、共集电极、共基极放大电路的特点（至少列出3点差异）。

3.说明组合逻辑电路与时序逻辑电路的主要区别，并各举一例。

4.简述RC一阶电路的零输入响应和零状态响应的定义及物理意义。

四、分析计算题（共28分）

1.（8分）如图1所示电路，已知R1=2Ω，R2=3Ω，R3=6Ω，Us=12V，求：

（1）电路的总电阻；

（2）各支路电流I1、I2、I3；

（3）R3两端的电压。

（注：图1为R1与R2并联后，再与R3串联，电源Us接在总电路两端）

2.（10分）设计一个三人表决电路，要求：当多数人（至少2人）同意时，表决结果有效（输出为1）；否则无效（输出为0）。

（1）列出真值表；

（2）写出逻辑表达式并化简；

（3）用与非门实现该逻辑电路。

3.（10分）某共射极放大电路中，已知三极管β=80，rbe=1.2kΩ，Rb=200kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ（未接旁路电容），Vcc=12V，信号源内阻Rs=500Ω，负载电阻RL=3kΩ。

（1）计算静态工作点（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）画出微变等效电路；

（3）计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

答案

一、单项选择题

1.B2.C3.A4.B5.B6.C7.A8.B9.B10.C

二、填空题

1.电荷2.增强3.A；A4.√2/2（或0.707）5.116.虚短；虚断7.幅值（或最大值）；频率（或角频率）

三、简答题

1.PN结的单向导电性指其正向偏置时导通（电阻小），反向偏置时截止（电阻大）。形成原理：正向偏置时，外电场与内电场方向相反，削弱内电场，空间电荷区变窄，多子扩散运动增强，形成较大正向电流；反向偏置时，外电场与内电场方向相同，增强内电场，空间电荷区变宽，多子扩散被抑制，少子漂移运动形成微小反向电流（可近似为截止）。

2.（1）输入电阻：共集极最大，共基极最小；（2）输出电阻：共集极最小，共射极居中，共基极较大；（3）电压增益：共射极和共基极有电压放大（共基极同相，共射极反相），共集极电压增益≈1（跟随特性）；（4）电流增益：共射极和共集极有电流放大，共基极电流增益≈1（α≈1）。