2025年大学《物理学》专业题库—— 异质界面与自旋电子结构.docxVIP

2025年大学《物理学》专业题库——异质界面与自旋电子结构

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内，每题3分，共30分）

1.在金属与真空界面处，定义功函数的是（）。

A.将一个电子从金属内部移动到真空能级所需的最低能量

B.将一个电子从金属内部移动到真空费米能级所需的能量

C.将一个电子从真空费米能级移动到金属内部所需的能量

D.将一个电子从金属费米能级移动到真空费米能级所需的能量

2.对于理想的两维电子气，其能谱为ε(k)=?2k2/2m，当引入一个与动量k成θ角的界面势V=V?cos(θ)时，能谱将发生（）。

A.谱线展宽

B.出现能谷

C.出现能隙

D.能谱形状不变

3.Kohn效应描述的是在（）情况下，界面处会自发产生能带偏移。

A.反演对称的异质结

B.时间反演对称的异质结

C.反演对称性破缺的异质结

D.势能均匀的介质

4.自旋轨道耦合的物理本质源于电子的（）与自旋的相互作用。

A.质量随动量变化

B.速度随动量变化

C.轨道磁矩

D.相对论效应

5.在自旋霍尔效应中，外加电场驱动载流子运动时，产生的自旋流方向与（）有关。

A.载流子种类（电子或空穴）

B.载流子迁移率

C.自旋轨道耦合强度

D.以上所有

6.磁性隧道结（MTJ）中观察到的大约100%的隧道磁阻（TMR）现象，其主要的物理机制是（）。

A.磁极化方向平行时，自旋极化隧穿概率高

B.磁极化方向反平行时，自旋极化隧穿概率高

C.磁极化方向平行时，非自旋极化隧穿概率高

D.磁极化方向反平行时，非自旋极化隧穿概率高

7.自旋轨道矩（SOT）主要影响（）。

A.载流子的动能

B.载流子的位置

C.载流子的自旋角动量

D.载流子的电荷

8.在二维材料异质结中，利用自旋轨道耦合效应进行自旋注入的典型材料组合是（）。

A.石墨烯/石墨烯

B.石墨烯/过渡金属硫化物

C.石墨烯/硅

D.硅/硅

9.表面等离激元在界面附近可以显著增强（）。

A.电场强度

B.磁场强度

C.介电常数

D.电阻率

10.自旋电子学区别于传统电子学的核心特征是（）。

A.利用电场控制电荷

B.利用磁场控制电荷

C.利用自旋自由度进行信息处理

D.使用更小的器件尺寸

二、填空题（请将答案填入横线处，每空2分，共20分）

1.在理想金属-绝缘体-金属（MIM）结构中，绝缘层两侧的金属功函数之差称为__________。

2.由于反演对称性破缺，半导体表面或界面处可以存在与__________相关的表面态。

3.自旋霍尔效应描述的是外加__________驱动载流子运动时，会产生自旋电流的现象。

4.自旋轨道耦合可以导致电子的__________发生分裂，形成自旋相关的能级。

5.基于磁性隧道结（MTJ）的磁随机存取存储器（MRAM）利用了__________随磁极化方向变化的特点。

6.自旋注入效率通常用__________来量化，它表示注入的自旋极化电子占总注入电子的比例。

7.表面等离激元是金属表面的一种集体振荡模式，其振荡频率与__________有关。

8.自旋轨道矩可以用来控制自旋极化电子的__________。

三、简答题（请简明扼要地回答下列问题，每题5分，共20分）

1.简述界面能带偏移产生的原因。

2.解释什么是自旋轨道耦合，并说明其对电子能谱的影响。

3.简述自旋霍尔效应的物理图像及其应用前景。

4.磁性隧道结（MTJ）的隧道电流与两端的磁极化方向有什么关系？为什么？

四、计算题（请写出详细的解题步骤和公式，每题10分，共30分）

1.设一个理想的金属-绝缘体-金属（MIM）结构，其中金属A的功函数为Φ_A=4.5eV，金属B的功函数为Φ_B=3.0eV，绝缘体厚度为d=1nm。计算绝缘体表面的功函数（即MIM结的界面势）。假设电子在绝缘体中的有效质量与在金属中相同。

2.在一个存在自旋轨道耦合的二维电子气中，假设SO耦合强度参数λ=0.1eV·nm。一个能量为ε=1.0eV的电子，其动量k=1.0×10?m?