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X射线光电子能谱（XPS）X-;电子能谱学概论电子能谱学的定义;电子能谱学的研究内容电子能谱学;电子能谱学概论UV紫外光电子能;电子能谱学与表面分析的关系电子;电子能谱学的应用电子能谱学的应;1887年赫兹首先发现了光电效;XPS特点XPS的主要特点是它;光电效应：当一个γ光子与物质原;电离截面σ：由于光电子发射必;XPS基本原理;电子结合能:是指原子中某个电子;在XPS分析中，由于采用的X射;数据处理系统能量分析器探测器;无标题;双阳极X射线源：在XPS谱仪中;减少X射线的线宽，AlK?线;电子能量分析器(1)半球型电子;检测器产生的光电流：10-3～;光电子的能量分布曲线：采用特定;谱峰出现规律：(1)主量子数n;可见：l=0时，j=1/2;;对应每个j的相对强度：可以用２;元素(及其化学状态)定性分析分;在能谱图中出现特征谱线，我们可;定性分析;可从B12中180个不同原子中;谱峰的物理位移和化学位移物理位;电负性对化学位移的影响电负性：;化学结构分析依据：原子的化学环;由图可知，与聚乙烯相比，聚氟乙;光电子特征峰伴峰：(1)振激;(1)振激谱线(Shak;例如Cu/CuO/Cu2O;易出现shakeup峰的情况;(2)振离谱线(Shak;(3)能量损失峰(Ener;(4)X射线卫星峰(X-;(5)多重分裂(Multi;MnF2的Mn3s电子的XPS;(6)俄歇电子峰(Auge;Auger电子产额;X射线激发的俄歇电子峰的特点：;一级原理模型(FirstP;定量分析--元素灵敏度因子;定量分析;定量分析;电子逃逸深度?：逸出电子的非弹;在常规的XPS分析中，我们是分;dD?eh?取样深度示;式中d是光电子出射角与样品法线;深度分析;在获得大于10nm的深度信息时;为了提高深度分辩率，一般应采用;XPS可对元素及其化学态进行;荷电效应用XPS测定绝缘体或;荷电效应荷电效应的来源主要是;荷电效应-中和法制备超薄样品;X射线光电子谱仪的能量校准荷电;荷电效应-内标法有人提出向;X射线能谱仪对分析的样品，在通;2.粉体样品对于粉体样品有两种;3.含有有挥发性物质的样品对于;5.带有微弱磁性的样品由于光电;6.离子束溅射技术在X射线光;总结;谢谢大家！ThankYou！
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