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UNIVERSITYOFCALIFORNIAATBERKELEY
CollegeofEngineering
DepartmentofElectricalEngineeringandComputerScience
R.W.Brodersen#2EECS140
JianhuiZhang(Due9/10/03)Fall2003
1.SketchVoutversusVinasVinvariesfrom0toVDD.Indicateandcalculateall
thebreakpoints(thevaluesofVinandVout)andcorrespondingoperationregions
(cutoff,linearorsaturation)oftransistorsM1andM2.
AssumeV2
t0(NMOS)=0.5V,Vt0(PMOS)=-0.6V,k?W/L(NMOS)=8mA/V,
k?W/L(PMOS)=3mA/V2.VDD=3V,R1=R2=10KΩ.
加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系
布罗德森作业2欧洲经济140
张建辉（截止日期：2003年秋季
2003年9月10日）
1.绘制Vout与Vin的关系图，Vin从0变化到VDD。指示并计算晶体管M1和M2的所有断
点（Vin和Vout的值）以及相应的工作区域（截止、线性或饱和）。
假设V(NMOS)=0.5V、V(PMOS)=‑0.6V、kíW/L(NMOS)=8mA/V、kíW/L2
t0t0
(PMOS)=3mA/V2。VDD=3V，R1R2=10KΩ。
2.Foreachofthetwocircuitsbelow,performthecalculations(a)and(b)byhand.
AssumeV
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