第1章 半导体二极管及其应用电路.pptVIP

图1-18稳压二极管的特性曲线和符号第61页，共87页，星期日，2025年，2月5日（2）齐纳击穿在掺杂浓度较大的PN结中，空间电荷区极窄（微米数量级），这样较小的反向电压就能使空间电荷区形成很强的电场，强电场足以破坏共价键，将束缚电子从共价键中分离出来，产生大量的电子—空穴对，形成较大的反向电流，这种击穿称为齐纳击穿。必须注意：上述两种电击穿过程是可逆的，前提是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结允许的耗散功率。否则，管子将因结温过高而烧毁。1.1.2PN结第29页，共87页，星期日，2025年，2月5日综上所述，可总结为以下几个方面：①本征半导体中，电子与空穴总是成对出现。②杂质半导体有：P型和N型。在P型半导体中，多子是空穴，少子是电子；在N型半导体中，多子是电子，少子是空穴。③多子的浓度只与掺杂浓度有关，少子的浓度只与温度等激发条件有关。1.1.2PN结第30页，共87页，星期日，2025年，2月5日④因浓度差的存在，多子产生扩散运动，形成较大的扩散电流；在内电场的作用下，少子产生漂移运动，形成很小的漂移电流（反向饱和电流）。⑤PN结的主要特性就是单向导电性。1.1.2PN结第31页，共87页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管1.2.1二极管的结构及其在电路中的符号1.2.2二极管的伏安特性曲线1.2.3二极管的主要参数1.2.4二极管的命名与分类1.2.5二极管的判别第32页，共87页，星期日，2025年，2月5日1.2.1二极管的结构及其在电路中的符号半导体二极管是在一个PN结的两个区引出两个电极引线，并用一定的外壳封装而制成的。其结构示意图、常用电路符号及常见外型符号如图1-10所示。第33页，共87页，星期日，2025年，2月5日图1-10二极管的结构示意图和电路符号1.2.1二极管的结构及其在电路中的符号第34页，共87页，星期日，2025年，2月5日二极管的分类：按其材料可分为：锗二极管、硅二极管。其中，硅二极管的热稳定性比锗二极管的热稳定性要好的多。按用途可分为：普通二极管、整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管等。按其结构不同可分为：点接触型、面接触型和平面型3类。分别如图1-11（a）、（b）和（c）所示。1.2.1二极管的结构及其在电路中的符号第35页，共87页，星期日，2025年，2月5日图1-11半导体二极管的常用结构第36页，共87页，星期日，2025年，2月5日1.2.2二极管的伏安特性曲线所谓伏安特性是指二极管两端的电压U与流过二极管电流I的关系。一．正向特性是指二极管两端外加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性，如图1-12中曲线A所示。第37页，共87页，星期日，2025年，2月5日图1-12硅二极管的典型特性曲线死区正向特性反向特性反向击穿特性IS＋－u→i第38页，共87页，星期日，2025年，2月5日二．反向特性二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1-12可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。小功率硅管的反向饱和电流IS一般小于0.1μA，而锗管的IS约为几个微安。此外，温度对特性曲线有较大影响。1.2.2二极管的伏安特性曲线第39页，共87页，星期日，2025年，2月5日三．二极管的等效电路模型（1）理想电路模型如图1-13所示。在正向偏置时，其管压降为0V，相当于开关闭合（短路）；反偏时，反向电流为零，相当于开关断开（开路）。通常把这种特性称为二极管的开关特性。在实际电路中，当二极管的正向压降远小于与之串联电阻上电压降时，可用此模型来近似分析。1.2.2二极管的伏安特性曲线第40页，共87页，星期日，2025年，2月5日图1-13理想模型第41页，共87页，星期日，2025年，2月5日（2）恒压降模型当二极管正向导通时的压降不能忽略时，其理想化伏安特性如图1-14（a）所示。通常硅管的正向导通电压Uth取值约为0.7V，锗管的正向导通电压Uth取值约为0.3V。二极管正向导通，相当于短路；二极管截止，相当于开路。图1-14（b）是其等效电路。1.2.2二极管的伏安特性曲线第42页，共87页，星期日，2025年，2月5日图1-14考虑恒压降的理想模型第43页，共87页，星期日，20