第九章 基本光刻工艺.pptVIP

第九章基本光刻工艺第1页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－2－第2页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－3－负光刻胶显影当负性光刻胶经过曝光后，它会发生聚合，在聚合与未聚合之间有足够高的分辨率，从而在显影过程中聚合的区域只会失去很小部分光刻胶，而未聚合的区域则在显影过程中分解，但由于两个区域之间总是存在过渡区，过渡区是部分聚合的光刻胶，所以，显影结束后必须及时冲洗，使显影液很快稀释，保证过渡区不被显影，使显影后的图形得以完整。第3页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－4－正光刻胶显影对于正性光刻胶，聚合与未聚合区域的溶解率约为1:4。这意味着在显影中总会从聚合的区域失去一些光刻胶。使用过渡的显影液或显影时间过长都会导致光刻胶太薄而不能使用。通常要求不高的正光刻胶显影使用减－水溶液和非离子溶液，对制造敏感电路使用叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液。正性光刻胶的显影工艺比负性光刻胶更为敏感，影响的因素有：软烘焙时间和温度、曝光度、显影液浓度、时间、温度以及显影方法。显影工艺参数由所有变量的测试来决定。图9.4显示了一个特定的工艺参数对线宽的影响。第4页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－5－图9.4显影剂温度和曝光关系与线宽变化的比较第5页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－6－显影方式显影方式分为：湿法显影干法（等离子）显影湿法显影沉浸喷射混凝沉浸显影最原始的方法。就是将待显影的晶园放入盛有显影液的容器中，经过一定的时间再放入加有化学冲洗液的池中进行冲洗。比较简单，但存在的问题较多，比如：液体表面张力会阻止显影液进入微小开孔区；溶解的光刻胶粘在晶园表面影响显影质量；随着显影次数增加显影液的稀释和污染；显影温度对显影率的影响等。喷射显影显影系统如图9.7所示。由此可见，显影剂和冲洗液都是在一个系统内完成，每次用的显影液第6页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－7－和冲洗液都是新的，所以较沉浸系统清洁，由于采用喷射系统也可大大节约化学品的使用。所以此工艺很受欢迎，特别是对负性光刻胶工艺。对正性光刻胶工艺来说因为温度的敏感性，当液体在压力下从喷嘴喷出后很快冷却，要保证温度必须加热晶园吸盘。从而增加了设备的复查性和工艺难度。第7页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－2－混凝显影虽然喷射显影有很多有点，但对正性光刻胶显影还存在一些问题，混凝显影就是针对所存在地问题而改进的一种针对正性胶的光刻工艺，差别在于显影化学品的不同。如图所示，首先在静止的晶园表面上覆盖一层显影液，停留一段时间（吸盘加热过程），在此过程中，大部分显影会发生，然后旋转并有更多的显影液喷到晶园表面并冲洗、干燥。第8页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－9－干法显影液体工艺的自动化程度不高，并且化学品的采购、存储、控制和处理费用昂贵，取代液体化学显影的途径是使用等离子体刻蚀工艺，该工艺现已非常成熟。在此工艺中，离子从等离子体场得到能量，以化学形式分解暴露的晶园表面层。干法光刻显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的之一易于被氧等离子体去除。具体内容在第十章中介绍。9.2硬烘焙硬烘焙的作用是蒸发湿法显影过程中吸收在光刻胶中溶液，增加光刻胶和晶园表面的粘结能力，保证下一步的刻蚀工艺得以顺利进行。第9页，共39页，星期日，2025年，2月5日第九章基本光刻工艺------从曝光到最终检验－10－硬烘焙方法