存储器和空间.pptVIP

第1页，共33页，星期日，2025年，2月5日“LF”-片内有Flash存储器；“LC”-片内有CMOS工艺的程序存储器，LF2407/LF2407A片内:2K字的单访问RAM（SARAM）544字的双访问RAM-DARAM（B0块-256字；B1块-256字；B2块-32字）5.1片内存储器5.1.1双访问RAM(DARAM)一个机器周期内可被访问2次:主相写数据到DARAM；而从相从DARAM读出数据。从而大大提高运行速度。第2页，共33页，星期日，2025年，2月5日544字DARAM分为三块：B0、B1和B2该存储器空间主要用来保存数据，但是B0块也可以用来保存程序。B0块配置成数据存储器空间还是程序存储器空间，要由状态寄存器ST1的CNF位来决定：（1）CNF=1，B0映射到程序存储器空间；（2）CNF=0，B0映射到数据存储器空间。5.1.2单访问RAM(SARAM)片内有2K字的单访问RAM（SARAM）,在一个机器周期第3页，共33页，星期日，2025年，2月5日内只能被访问1次。例如，如果要将累加器的值保存，且装载一个新值到累加器，在SARAM中，完成这个任务需要两个时钟周期，而在DARAM中只需要一个时钟周期。利用软件可将SARAM配置成外部存储器或内部SARAM。5.1.3Flash程序存储器片内的Flash存储器映射到程序存储器空间。MP/MC*引脚决定是访问片内的程序存储器（Flash）还是访问片外的程序存储器。第4页，共33页，星期日，2025年，2月5日1.Flash程序存储器使用电擦除的方式，进行程序的修改和开发。Flash模块特点：运行在3.3V电压模式。对Flash编程时需要在VCCP上有5V（±5％）电压供电。Flash有多个向量，用来保护它，防止被擦除。Flash的编程是由CPU来实现的。2.Flash控制方式寄存器（FCMR）Flash模块有4个寄存器。控制对Flash的操作。在任意时刻，用户可以访问Flash模块中的存储器阵第5页，共33页，星期日，2025年，2月5日列，也可以访问控制寄存器，但不能同时访问。模块有一个Flash控制方式寄存器来选择两种访问模式。该寄存器映射在内部I/O空间的FF0Fh，这是一个不能读的特殊功能寄存器，它可在Flash的存储器阵列方式下使能Flash，用来对Flash阵列编程。该寄存器的功能如下：使用OUT指令，可以将Flash模块置于寄存器访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如：OUTdummy,0FF0Fh；选择寄存器访问方式第6页，共33页，星期日，2025年，2月5日使用IN指令，可将Flash模块置于存储器阵列访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如：INdummy,0FF0Fh ；选择存储器阵列访问方式5.2程序存储器程序存储器空间寻址范围为64K，包括了片内DARAM和片内Flash。图5-1所示为LF2407A的程序存储器空间的映射。第7页，共33页，星期日，2025年，2月5日第8页，共33页，星期日，2025年，2月5日有两个因素决定程序存储器的配置：（1）CNF位。CNF位是状态寄存器ST1的第12位，决定DARAM中的B0块配置在数据存储器空间，还是配置在程序存储器空间。0:256字的B0块被映射到数据存储器空间。1:256字的B0块被映射到程序存储器空间。复位时，CNF＝0，B0块被映射到数据存储器空间。（2）MP/MC*引脚。该引脚决定是从片内Flash读取指令。还是从外部程序存储器读取指令。第9页，共33页，星期日，2025年，2月5日 0:微控制器方式。此时访问的是片内程序存储器（片内Flash）0000h-7FFFh空间。 1:微处理器方式。此时访问的是片外程序存储器的0000h-7FFFh空间。无论MP/MC*引脚为何值，LF240xDSP都是从程序存储器空间的0000h单元开始执行程序。5.3数据存储器寻址范围高达64K字：第10页，共33页，星期日，2025年，2月5日前32K字（0000h-7FFFh）是内部数据存储器空间,包括了DARAM和片内外设的映射寄存器。后32K字（8000h-FFFFh）空间的存储器为外部数据存储器。1.数据存储器映射片内有3个DARAM块：B0、B1和B2块。B0块:即可为数据存储器，也可配置为程序存储器。B1、B2块:只能配置为数据存储器。图5-2为数据存储器空间的映射。第11页，共33页，星期日，2025年，2月5日第12页，共33页，星期日，2