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高压板背光电路中MOSFET关键参数与应用.pdfVIP

高压板背光电路中MOSFET关键参数与应用.pdf

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    TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN,PChannelMOSType(π−MOSVI/U−MOSII)

    TPC8402

    LithiumIonSecondaryBatteryApplications

    NotebookPCs

    Unit:mm

    PortableEquipmentApplications

    Lowdrain−sourceONresistance

    :PChannelRDS(ON)=27mΩ(typ.)

    NChannelRDS(ON)=37mΩ(typ.)

    Highforwardtransferadmittance

    :PChannel|Yfs|=7S(typ.)

    NChannel|Yfs|=6S(typ.)

    Lowleakagecurrent

    :PChannelIDSS=−10µA(VDS=−30V)

    NChannelIDSS=10µA(VDS=30V)

    Enhancement−mode

    :PChannelVth=−0.8~−2.0V(VDS=−10V,ID=−1mA)

    NChannelVth=0.8~2.0V(VDS=10V,ID=1mA)

    umRatings(Ta=25°C)

    Rating

    CharacteristicsSymbolUnit

    PChannelNChannelJEDEC―

    Drain-sourcevoltageVDSS−3030V

    JEITA―

    Drain-evoltage(RGS=20kΩ)VDGR−3030V

    TOSHIBA2-6J1E

    e-source

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