《GB_T 42271-2022半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》专题研究报告.pptxVIP

;目录;、为何半绝缘碳化硅单晶电阻率测试需专属国标？GB/T42271-2022出台背景、行业需求及解决;半绝缘碳化硅单晶在半导体行业的应用现状及对电阻率测试的特殊要求;;;;标准中规定的非接触测试核心原理：电磁感应与涡流效应的应用机制;

（二）非接触测试相较于接触式测试的技术优势：从样品保护到测试效率的全面提升

相较于接触式测试，非接触测试无需电极制备，避免样品表面损伤；测试过程无接触电阻干扰，结果更精准；单次测试时间缩短至1分钟内，效;与国际主流非接触测试方法的对比：标准技术路线的先进性与适用性;;;测试仪器需包含磁场发生模块、信号检测模块、数据处理模块。标准要求磁场频率稳定度≤0.1%，信号检测分辨率≥10-?V，电阻率测试范围覆盖10?-101?Ω?cm，示值误差≤±10%，确保仪器性能满足高电阻率样品测试需求。;仪器校准周期、校准方法及校准用标准物质的选用规范;;;样品表面处理的具体方法：研磨、抛光及清洁的操作规范;;;测试前的仪器预热、样品放置及参数初始化步骤;测试过程中的信号采集、数据计算及实时监控要点;测试数据记录的内容、格式及保存要求;;;;;;半绝缘碳化硅单晶电阻率指标限值的设定依据：结合应用场景的需求分析;测试结果的判定规则：合格与不合格的判定依据及复检流程;该标准为半绝缘碳化硅单晶建立了统一质量分级依据，推动行业从“模糊定性”向“精准定量”升级。上游企业可按标准分级生产，下游企业可按应用需求选择对应级别产品，减少供需错配，提升产业链效率。;;碳化硅行业规模化、高端化发展趋势下标准的基础保障作用;;;;当样品厚度＜200μm时，涡流易穿透样品，信号强度下降。专家建议：可叠加2-3片相同样品（总厚度≥200μm）测试，或选用高频磁场（200kHz）增强信号；若仍无法满足，可参考标准附录C的微波辅助测试方案，确保测试有效性。;仪器校准后测试结果仍偏差较大的疑点：排查流程与解决方法;;;与IEC62802-3（碳化硅单晶测试标准）的技术差异：指标、方法及适用范围对比;;