SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di_dt-PMOS的短路保护.pdfVIP

2025年8月电工技术学报Vol.40No.16

第40卷第16期TRANSACTIONSOFCHINAELECTROTECHNICALSOCIETYAug.2025

DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.241527

SiCMOSFET的短路耐受时间分析及其

基于di/dt-PMOS的短路保护

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谢佳明魏金萧吴彬兵丰昊冉立

（1.输变电装备技术全国重点实验室（重庆大学）重庆400044

2.合肥工业大学电气与自动化学院合肥230000）

摘要为了提高SiCMOSFET的短路可靠性，在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主

回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下，对SiCMOSFET短路电流特性曲线进行测量，定量分析

各个参数对短路电流的影响，为如何提高SiCMOSEFT的短路耐受时间提供解决思路。同时，由

于SiCMOSFET的短路耐受时间决定着对其进行短路保护动作的最大时间，所以这些不同参数的

设置直接影响着SiCMOSFET短路保护电路的设计。在传统SiCMOSFET短路保护策略中，利用

开尔文源极与功率源极之间寄生电感产生的感应电压，配合RC滤波器进行短路保护，存在SiC

MOSFET在硬开关短路和负载短路中，触发短路保护动作阈值不一致的问题，即导致短路保护失

败。针对此问题，提出基于di/dt-PMOS的短路保护策略，保证了阈值的一致性。通过公式推导以

及实验验证了基于di/dt-PMOS的SiCMOSFET短路保护策略的有效性。

关键词：SiCMOSFET短路耐受时间短路保护开尔文源极驱动电路

中图分类号：TM46

与HSF则正好相反，其为下管正常导通状态下，上

0引言

管突然开通，此时ids从正常工作电流ids(on)急剧上

SiCMOSFET凭借其宽禁带、耐高温以及低开升，后因温度上升导致载流子迁移率下降，ids下降。

关损耗等诸多优点，在电力电子领域运用越来越广vds从正常导通状态下的电压vds(on)上升至Vdc[11-13]。

泛[1-6]。但由于SiCMOSFET高电流密度以及较小的相比IGBT，由于SiCMOSFET在短路期间更

芯片面积，造成SiCMOSFET短路耐受能力极差，大的短路电流以及自身更小的芯片面积，造成其热

严重阻碍了SiCMOSFET的应用[7-8]。SiCMOSFET应力较大，因而相应的短路耐受时间（ShortCircuit

短路类型主要分为两种：①硬开关短路（HardWithstandTime,SCWT）更短，短路故障对SiC

SwitchingFault,HSF）；②负载短路（FaultUnderMOSFET威胁更大[14]。有研究表明，相同情况下

[15]

Load,FUL）。以负载并联于上管的半桥电路为例，IGBT的SCWT为10μs，而SiCMOSFET仅为3μs。

HSF为半桥电路中上管正常开通状态下，下管因故由于SiCMOSFET的SCWT主要与短路过程中产热

障突然开通，此时下管电流ids从0急剧上升至短路大小有关，产热越大，SCWT越短，而产热的大小

电流峰值，随着温度的升高，声子散射以及表