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电子元件二极管基础习题集

二极管作为电子电路中最基础也是最重要的半导体器件之一，其原理和应用是深入学习电子技术的基石。通过习题练习，可以帮助我们更好地理解二极管的特性、参数及典型应用。本习题集旨在巩固二极管的基础知识，题目类型涵盖概念辨析、特性理解、电路分析及简单应用，希望能对您的学习有所助益。

一、概念辨析与基础知识

1.简述二极管的核心结构及其最基本的特性。

*解答与提示：二极管的核心结构是一个PN结，由P型半导体和N型半导体通过特定工艺结合而成。其最基本的特性是单向导电性，即当二极管两端施加正向电压（P区接高电位，N区接低电位）且电压超过死区电压时，二极管导通，呈现低电阻状态；当施加反向电压（P区接低电位，N区接高电位）时，二极管截止，呈现高电阻状态（在未达到反向击穿电压的前提下）。这个特性是二极管所有应用的基础。

2.什么是二极管的死区电压？硅管和锗管的死区电压大约分别是多少？

*解答与提示：当二极管两端施加正向电压时，并非一加上电压就导通。由于PN结内部存在内电场，只有当正向电压达到一定数值，足以克服内电场的阻碍作用时，才有明显的正向电流产生。这个使二极管开始导通的最小正向电压称为死区电压（或阈值电压、门槛电压）。硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。

3.二极管的伏安特性曲线可以分为哪几个主要区域？简述各区域的特点。

*解答与提示：二极管的伏安特性曲线主要分为以下几个区域：

*正向导通区：当正向电压大于死区电压后，随着电压的微小增加，正向电流会迅速增大。此区域内，二极管呈现较小的正向电阻。导通后，硅管的正向压降约为0.6-0.7V，锗管约为0.2-0.3V。

*反向截止区：当施加反向电压（未达到击穿电压时），反向电流很小，且基本不随反向电压的增大而变化（这个微小的电流称为反向饱和电流）。此时二极管呈现很大的反向电阻，近似截止。

*反向击穿区：当反向电压增大到某一特定值（击穿电压）时，反向电流会突然急剧增大。如果没有限流措施，二极管会因过热而损坏。需要注意的是，稳压二极管正是工作在反向击穿区（且需限流）。

4.什么是二极管的反向饱和电流？其大小与哪些因素有关？温度对其有何影响？

*解答与提示：二极管处于反向截止区时，流过二极管的微小反向电流称为反向饱和电流。它主要由半导体材料中少数载流子的漂移运动形成。其大小与半导体材料的种类（硅管的反向饱和电流远小于锗管）、温度以及制造工艺有关。温度升高时，少数载流子数量显著增加，因此反向饱和电流会急剧增大，这是二极管温度特性的重要体现。

5.二极管的主要参数有哪些？试列举至少三个，并说明其含义。

*解答与提示：二极管的主要参数包括：

*最大整流电流IF（或IF(AV)）：指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。使用时若超过此值，二极管可能因过热而损坏。

*最高反向工作电压URM：指二极管正常工作时，所能承受的最大反向电压。为保证安全，通常手册中给出的此参数约为反向击穿电压的一半。

*反向饱和电流IS：如前所述，是二极管在反向截止区的反向电流值，其大小反映了二极管的反向截止性能，越小越好。

*正向压降UF：指二极管在额定正向电流下的正向电压降。

*最高工作频率fM：指二极管能够正常工作的最高交流信号频率。超过此频率，二极管的单向导电性将明显下降。

二、特性曲线与参数理解

6.在二极管的正向特性中，为什么在正向电压较小时电流很小，而当电压超过死区电压后电流会迅速增大？

*解答与提示：在正向电压较小时，外部电场不足以克服PN结内部的内电场，多数载流子的扩散运动难以进行，因此正向电流很小，二极管呈现高阻状态。当正向电压超过死区电压后，内电场被显著削弱，多数载流子大量扩散，形成较大的正向电流，此时二极管的正向电阻急剧减小，电流随电压的增加而迅速增大，特性曲线变得陡峭。

7.若某二极管的伏安特性曲线在反向电压达到某一值时，电流突然急剧增大，这是什么现象？此现象在什么情况下是有害的，什么情况下是可以利用的？

*解答与提示：这是二极管的反向击穿现象。当反向电压超过其击穿电压时，反向电流会突然大幅增加。如果没有适当的限流措施，过大的电流会导致PN结温度迅速升高，从而烧毁二极管，此时击穿是有害的。然而，对于稳压二极管（一种特殊的二极管），人们正是利用其在反向击穿区（在一定电流范围内）电压基本保持不变的特性来实现稳压功能，此时的击穿是可控制和利用的。

8.有A、B两只二极管，测得它们的反向饱和电流分别为0.01μA和1μA，在其他参数相近的情况下，哪只二极管的单向导电性更好？为什么？

*解答与提示：在其他参数相近的情况