模拟电路模型分析技巧.pptVIP

下载本文档

0
0
约2.05万字
约 63页
2025-11-04 发布于广东
举报
版权申诉

模拟电路模型分析技巧.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

ParametertableofMIMwithoutshieldmodelMIM(uM^2)Cmin(fF)Ltop(PH)RtopmohmLbot(PH)RbotmohmCox(fF)Rsub(ohm)Csub(fF)30x30951.69.5158.99.5625.56.715.24.325x25664.99.7162.89.7595.34.919.33.415x15245.210.1185.610.1486.32.234.91.910x10112.210.3230.010.3444.21.350.91.35x530.510.5470.010.5475.50.781.20.85x1058.59.8310.09.8443.50.963.71.05x20114.68.3230.08.3469.51.344.51.55x30170.76.8203.36.8515.51.734.21.910x30326.97.3176.77.3480.22.727.42.410x20219.68.8190.08.8457.22.035.61.8第29页，共63页，星期日，2025年，2月5日ParametertableofMIMwithshieldmodelMIM(uM^2)Cmin(fF)Ltop(PH)RtopmohmLbot(PH)RbotmohmCox(fF)30x30951.69.5158.99.5625.544.725x25664.99.7162.89.7595.332.615x15245.210.1185.610.1486.314.310x10112.210.3230.010.3444.28.15x530.510.5470.010.5475.53.95x1058.59.8310.09.8443.55.15x20114.68.3230.08.3469.57.55x30170.76.8203.36.8515.59.910x30326.97.3176.77.3480.216.810x20219.68.8190.08.8457.212.4第30页，共63页，星期日，2025年，2月5日MOSMODELThebiasconditionsare:1.8vNMOS:|vgs|:0.5~1.8v,|vds|:0.6~1.8v,|vbs|:0~1.8v1.8vPMOS:|vgs|:0.6~1.8v,|vds|:0.6~1.8v,|vbs|:0~1.8v3.3vN/PMOS:|vgs|:0.8~3.3v,|vds|:0.8~3.3v,|vbs|:0~3.3vforthe1.8vN/PMOSthevalidgatelengthrangesfrom0.18~0.5umandthevalidgatewidthperfingerrangesfrom1.5~8um,thevalidfingernumbersrangefrom1~64.the3.3vN/PMOSdevicesarevalidwithlength0.35~0.5umforPMOSandwithwidthof1.5~8um.thevalidfingernumbersrangefrom1~64.第31页，共63页，星期日，2025年，2月5日Whenthetotalpowerofthedeviceishigherthan0.21w,self-heatingeffectwilloccur,itwilldegratethedeviceperformance.thereforethemaximumpowerofpowervalidrangeislimitedupto0.21w.Attention:TheMOSFETwasdesignedasatwo-portnetworkw