第三章半导体制造中的化学品.ppt

第三章半导体制造中的化学品第1页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.1物质形态三种基本形态：固态、液态和气态固体有其自己固定的形状，不会随容器的形状而改变。液体会填充容器的相当于液体体积大小的区域，并会形成表面。气体会填充整个容器，不会形成表面。第2页，共26页，星期日，2025年，2月5日活性气体如氢气和氧气，容易与其他气体或元素反应形成稳定的化合物。惰性气体如氦气和氩气，很难形成化合物，不与其他化学材料反应，广泛应用于半导体制造业。等离子体：第四种形态，当有高能电离的原子或分子的聚集体存在时就会出现等离子体。将一定的气体暴露在高能电场中就能诱发等离子体。第3页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.2材料的属性通过研究材料的属性，了解如何在半导体制造业中使用它们。有两类：化学属性和物理属性物理属性：指那些通过物质本身而不需要与其他物质相互作用而反映出来的性质。有熔点、沸点、电阻率和密度等化学属性：指通过与其他物质相互作用或相互转变而反映出来的性质。有可燃性、反应性和腐蚀性。第4页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.3半导体制造中的化学属性先进的IC制造商通常会使用新型材料来改善芯片的性能并减小器件的特征尺寸。化学品的一些属性对于理解新的半导体工艺材料的存在有很重要的意义。属性有：温度，密度，压强和真空，表面张力，冷凝，热膨胀，蒸气压，应力，升华和凝华第5页，共26页，星期日，2025年，2月5日1.温度：是比较一个物质相对于另一个物质是热还是冷的量度标准。硅晶圆制造中需要处理很多在高温下的情况，比如需要加热来影响化学反应（如改变化学反应速度）或者对硅单晶结构退火使原子重新排列。存在三种温标：华氏温标（℉），摄氏温标（℃）和绝对温标或开氏温标（K）。第6页，共26页，星期日，2025年，2月5日2.压强和真空压强=压力/面积，在半导体制造中被广泛使用的属性。化学品和气体都是从高压向低压区域流动的。真空，一般来说，压力低于标准大气压就认为是真空。真空条件用压力单位来衡量。蒸发和溅射都工作在真空环境。第7页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.冷凝和汽化冷凝：气体变成液体的过程被称作冷凝汽化：从液体变成气体的相反过程叫做汽化吸收：气体或液体进入其他材料的主要方式吸附：气体或液体被束缚在固体表面，被吸附的分子通过化学束缚或者物理吸引这样的弱束缚黏在物体表面第8页，共26页，星期日，2025年，2月5日4.蒸汽压在密闭容器中气体分子施加的压力，汽化和冷凝的速率处于动态平衡。5.升华和凝华升华：固体直接变成气体的过程。凝华：气体直接变成固体的过程第9页，共26页，星期日，2025年，2月5日6.表面张力:当一滴液体在一个平面上，液滴存在着一个接触表面积，液滴的表面张力是增加接触表面积所需的能量。随着表面积的增加，液体分子必须打破分子间的引力，从液体内部运动到液体的表面，因此需要能量。在半导体中这个概念用来衡量液体均匀涂在晶圆表面的粘附能力。第10页，共26页，星期日，2025年，2月5日7.热膨胀：当一个物体被加热时，由于原子振动加剧，它的体积就会发生膨胀。衡量材料热膨胀大小的参数是热膨胀系数。非晶材料的热膨胀是各向同性的，而所有晶体材料，比如单晶，热膨胀是各向异性的。第11页，共26页，星期日，2025年，2月5日8.应力：当一个物体受到外力作用时，就会产生应力。在晶圆中有多种原因可导致应力的产生。①硅片表面的物理损伤②位错，多余的空隙和杂质产生的内力③外界材料生长第12页，共26页，星期日，2025年，2月5日如果两个热膨胀系数相差很大的物体结合在一起，然后加热，由于两种材料以不同的速率膨胀导致它们彼此推拉，产生应力。会使硅片弯曲，在半导体制造过程中，非常重视这种应力。确保材料的最小应力可以改善芯片的可靠性。第13页，共26页，星期日，2025年，2月5日3.4化学品在半导体制造中的状态三种状态：液态，固态和气态。用途有：用湿法化学溶液和超净的水清洗硅片表面用高能离子对硅片进行掺杂得到P型或N型硅淀积不同的金属导体层以及导体层之间的介质层生长薄的二氧化硅层作为MOS器件的栅极介质材料用等离子体增强刻蚀或湿法试剂有选择的去除材料并在薄膜上形成所需的图形第14页，共26页，星期日，2025年，2月5日1、液体在半导体制造的湿法工艺步骤中使用了许多种液体。在硅片加工厂减少使用化学品是长期的努力。许多液体化学品都是非常危险，需要特殊处理和销毁手段。另