第1章半导体基础.pptVIP

由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区的内建电场阻碍了扩散运动，同时使少子产生漂移运动，即N区的空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移。当漂移运动和扩散运动达到动态平衡时，扩散电流等于漂移电流且方向相反，PN结中电流为零，PN结宽度及电位差Uho为恒定值。硅：（0.6～0.8）V；锗：（0.1～0.3）V。*第30页，共71页，星期日，2025年，2月5日一定条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，空间电荷区宽度基本稳定。动画1-3P区N区内电场方向*第31页，共71页，星期日，2025年，2月5日内电场方向二、PN结的特性1、PN结的单向导电性是指PN结在不同极性的外加电压作用时，其导电能力有显著差异。*第32页，共71页，星期日，2025年，2月5日内电场方向E外电场方向RIP区N区外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷空间电荷区变窄扩散运动增强，形成较大的正向电流（1）外加正向电压(正偏)（P端接电源正极动画1-4）PN结两端不能直接接电源两端。*第33页，共71页，星期日，2025年，2月5日P区N区内电场方向ER空间电荷区变宽外电场方向IR（2）外加反向电压(反偏)（N端接电源正极）动画1-5少数载流子越过PN结形成很小的反向电流*第34页，共71页，星期日，2025年，2月5日PN结的单向导电性PN结正向偏置时靠多子导电，产生的正向电流数值较大,此时容易导电；PN结反向偏置时靠少子导电，产生的反向电流数值很小，几乎不导电。*第35页，共71页，星期日，2025年，2月5日2、PN结的伏安特性及其表达式I/mAU/VI为流过PN结的电流，U为PN结两端的外加电压。Is为反向饱和电流，UT为“温度电压当量”，常温时，UT≈26mVPN结的伏安特性是指PN结两端的外加电压与流过PN结的电流之间的关系曲线。*第36页，共71页，星期日，2025年，2月5日温度对反向电流的影响：T↑，少子↑，IS↑PN加正向电压，且UUT时，PN加反向电压，且?U?UT时，I/mAU/V*第37页，共71页，星期日，2025年，2月5日PN结的正向特性受温度的影响温度升高时，正向曲线左移，反向曲线下移。当保持正向电流不变时，环境温度每升调1??C,PN结的端电压可减小2?2.5mV。*第38页，共71页，星期日，2025年，2月5日3、PN结的击穿特性当PN结反向电压超过一定数值UBR后，反向电流急剧增加，该现象称为反向击穿，UBR称为反向击穿电压*雪崩击穿2.齐纳击穿第39页，共71页，星期日，2025年，2月5日齐纳击穿：在掺杂浓度高的情况下，耗尽层很窄，不大的反向电压可以在耗尽层产生很强的电场（E=U/d，其中U为两电场间的电势差，d为两点间沿电场方向的距离），直接破坏共价键，形成电子-空穴对，导致电流急剧增加。硅材料一般在4V以下的击穿称为齐纳击穿。*第40页，共71页，星期日，2025年，2月5日雪崩击穿：掺杂浓度低，当反向电压比较大时，耗尽层中的少子加快漂移速度，撞击共价键，形成电子-空穴对，新的电子和空穴在电场的作用下加速运动，撞出新的价电子。载流子雪崩式倍增，导致电流急剧增加。一般在7V以上。在4～7V之间，两者都有，其温度特性较好。*第41页，共71页，星期日，2025年，2月5日当PN结反向电压增加时，可能会发生反向击穿。要保证PN结不因电流过大产生过热而损坏。当反向电压下降到击穿电压（绝对值）以下时，PN结的性能便可恢复击穿前状态。*第42页，共71页，星期日，2025年，2月5日PN结电容势垒电容扩散电容4、PN结的电容效应PN结除有单向导电性外，还有电容效应。*第43页，共71页，星期日，2025年，2月5日PN结中空间电荷的数量随外加电压变化所形成的电容称为势垒电容，与平板电容器相同：S：PN结面积d：PN结宽度ε：半导体介电常数（1）势垒电容CB*第44页，共71页，星期日，2025年，2月5日外加电压改变时引起扩散区积累的电荷量改变，这就形成了电容效应，其对应的电容称为“扩散电容”。不对称PN结的扩散电容：（2）扩散电容CDI：正向电流