传感器与检测技术张朝霞39课件.pptVIP

1．霍尔传感器的功能2．霍尔传感器的结构小结3．霍尔传感器的工作原理及应用继续努力吧！*具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。******霍尔传感器是以霍尔元件作为其敏感和转换元件的传感器，而霍尔元件则是利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。导体或半导体薄片置于磁场B中，在相对两侧通以电流I，在垂直于电流和磁场的方向上将产生一个大小与电流I和磁感应强度B的乘积成正比的电动势UH，这一现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势，该薄片称为霍尔元件。**早在19世纪70年代，发现了霍耳效应。由于霍耳效应十分微弱，致使很长一段时间来没有步入实用阶段。及至20世纪50年代末，随着三、五价化合物半导体材料的开发，才找到了电子迁移率非常大的新材料〔诸如：锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、砷化镓（GaAs）等〕，成为霍耳器件制造所必需的新材料，从而使霍耳器件进入了广泛的应用时代。随着导体生产工艺的飞跃发展，霍耳器件水平也大大提高，并发展到单晶、多晶薄膜化和硅霍耳集成化阶段。因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。***当霍尔元件通以激励电流I时，若磁场B=0，理论上霍尔电势UH=0,但实际UH不等于0，这时测得的空载电势称为不等位电势U0。产生不等位电势的原因有：霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。*当激励电流I和磁感应强度B一定时，理论上霍尔元件的输出电势也是一定的。但在实际中，由于温度的变化，霍尔电势也会随之有一些变化。温度对霍尔电势的影响程度，用霍尔电势温度系数α来表征。*霍尔元件是半导体元件，它的许多参数与温度有关。当温度T变化时，载流子浓度n、迁移率μ、电阻率ρ，霍尔系数RH都会变化。以下是几种补偿方法：恒流源补偿法：在霍尔元件上并联一Rp分流，当T增大时—Ri增大—UH增大—IH减小—Ip增大—UH下降，Rp自动加强分流，使Ip增大—IH下降—UH下降,补偿电阻Rp可选择负温度系数.**电流I为恒定电流，不受温度影响；电阻rH为霍尔元件等效输入电阻；在霍尔元件的控制电极并联一个合适的补偿电阻rT，rT具有如rH相同的正温度系数，这个电阻起分流作用。当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻rT会自动加强分流，减小了霍尔元件的控制电流IH，从而达到补偿的目的。补偿后的霍尔电势受温度的影响极小，而且该方法对霍尔元件的其他性能无影响，只是由于控制电流被分流了，霍尔电势的输出稍有下降，若需要，可以通过增大恒流源I的数值来达到原来的输出值。*霍尔式传感器的应用可分为下述三个方面：*磁性转盘的输入轴与被测转轴相连，将霍尔元件移置旋转盘下边，让转盘上小磁铁形成的磁力线垂直穿过霍耳元件。当被测转轴转动时，磁性转盘随之转动，固定在转盘上的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲电压，检测出单位时间内脉冲电压的个数，便可知被测转轴的旋转速度，从而实现转速的检测。转盘上磁铁对数越多，传感器测速的分辨率就越高。*(a)是磁场强度相同的两块永久磁铁，同极性相对地放置，霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的磁感应强度B=0，因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零，此时位移Δx=0。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移，霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变，这时UH不为零，其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器，其动态范围可达5mm，分辨率为0.001mm。(b)是一种结构简单的霍尔位移传感器，是由一块永久磁铁组成磁路的传感器，在霍尔元件处于初始位置Δx=0时，霍尔电势UH不等于零。由于霍尔电压正比于控制电流I和磁感应强度B，所以凡是可以转换为乘法的物理量(如功率)都可进行测量。*(c)是一个由两个结构相同的磁路组成的霍尔式位移传感器，为了获得较好的线性分布，在磁极端面装有极靴，霍尔元件调整好初始位置时，可以使霍尔电势UH=0。这种传感器灵敏度很高，但它所能检测的位移量较小，适合于微位移量及振动的测量。*霍尔开关传感器SL3501是具有较高灵敏度的集成霍尔元件,能感受到很小的磁场变化,