硅材料中碳氧杂质行为.pptVIP

氧沉淀硅晶体中的氧是过饱和，处于亚稳状态，在适当温度下经过扩散、聚集，冷却时脱溶成为有一定尺寸的富氧区例如含氧量为32ppm的样品B，若在1050下热处理达到平衡，将有24.5ppm的氧析出（线段Sb）氧沉淀是一个复杂的问题，涉及硅晶体中初始氧浓度，氧浓度分布，氧的存在状态，以及碳、氮等杂质分布还受到热处理温度、时间、顺序的影响第29页，共43页，星期日，2025年，2月5日氧沉淀氧沉淀时产生新的界面，增加界面能，诱发位错和层错氧沉淀时引起体积增大（无定型片状沉淀增大2.25倍），引起应变能沉淀过程的动力是体系自由能的降低，是一个形核、长大过程，可以用相变热力学描述沉淀的均匀形核需要一定的过冷度，借助位错或者碳会出现非均匀形核低温热处理产生高密度的小沉淀高温热处理产生低密度的大沉淀第30页，共43页，星期日，2025年，2月5日氧沉淀对材料和器件的影响对机械性能少量的间隙氧原子和微小的氧沉淀对位错有钉扎作用，因此提高材料的强度，减少硅片破损；在热循环工艺中，硅片不易翘曲变形当氧沉淀的数量过多，尺寸过大，诱发位错、层错，反而使硅片破损；在热循环工艺中，硅片翘曲变形对电学性能形成氧沉淀时诱发位错、层错等二次缺陷，造成短路、漏电，使器件的电学性能变坏氧的吸杂效应形成氧沉淀时诱发位错、层错等二次缺陷会吸引硅片表面的重金属杂质在缺陷处沉淀，在近表层得到无缺陷得洁净区，成为大规模集成电路的重要工艺，提高器件成品率第31页，共43页，星期日，2025年，2月5日半导体硅材料测试原理半导体硅材料测试原理硅材料中碳氧杂质行为第1页，共43页，星期日，2025年，2月5日研究意义半导体的性质在高纯状态下才能体现杂质控制是半导体材料最重要的问题杂质对半导体材料和器件的性能产生决定性影响研究杂质的性质、分布、杂质间的相互作用和对材料器件的影响第2页，共43页，星期日，2025年，2月5日硅材料中常见杂质的来源非金属：碳、氧、氮、氢在多晶硅和单晶硅生产中引入重金属：铁、铬、锰、钛、铜、金、银、铂来源于原材料和器件制造过程污染掺杂元素：硼、铝、磷、砷、锑、锂为了控制半导体的性能人为掺入第3页，共43页，星期日，2025年，2月5日杂质在硅晶体中的存在形式杂质原子可以处于晶格替代硅原子位置——代位原子，或者晶格间的空隙位置——间隙原子形成原子团——沉淀，（几十到几百埃）形成复合体：杂质原子-空位，杂质原子-位错，杂质A-杂质B在硅的禁带中引入能级：浅能级杂质，深能级杂质，电中性杂质第4页，共43页，星期日，2025年，2月5日浅能级杂质杂质的电离能较低，在导带以下0.04–0.07eV人为加入硅材料，控制材料的导电性能例如P、As、Sb杂质处于硅晶格位置，四个电子形成共价键，一个多余的电子可以被激发到硅的导带中，形成电子导电，电离能：P(0.044eV)、As(0.049eV)、Sb(0.039eV)B、Al、Ga杂质位于硅晶格，需要接受一个电子，在晶格中形成空位，电离能：B(0.045eV)、Al(0.057eV)、Ga(0.065eV)第5页，共43页，星期日，2025年，2月5日深能级杂质杂质施主能级距离导带低较远杂质受主能级距离价带顶较远硅中的金属杂质通常是深能级杂质，且常常有多个能级，既有施主能级，又有受主能级例如Au:施主0.35eV，受主0.54eVCu:受主0.52eV,0.37eV,0.24eVFe:施主0.55eV,施主0.40eVEcEdEvEcEAEv硅的禁带宽度1.12eV第6页，共43页，星期日，2025年，2月5日杂质电离杂质电离后获得电子或空位——载流子杂质电离与温度有关，与杂质浓度有关完全电离时的载流子浓度n轻掺杂时（1011-1017cm-3）室温下材料中的杂质可以全部电离ND电离杂质浓度Nc导带有效态密度Ec导带底能级EF费米能级第7页，共43页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移与硅材料电阻载流子在外加电场的作用下做漂移，平均漂移速率V根据电导定义，材料的电导率等于载流子浓度和载流子迁移速率之积因而电阻率E为电场强度?为载流子迁移率载流子浓度n每个载流子所带电荷q第8页，共43页，星期日，2025年，2月5日载流子迁移与硅材料电阻载流子迁移主要受到晶格散射和杂质散射，对于较纯的材料，室温下主要是晶格散射；如右图，温度越高，晶格散射越明显，(杂质含量1014cm-3)