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2025年（半导体工艺工程师）薄膜沉积试题及答案.doc

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2025年（半导体工艺工程师）薄膜沉积试题及答案

第I卷（选择题）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题只有一个正确答案。

1.以下哪种薄膜沉积技术属于物理气相沉积？（）

A.化学气相沉积

B.分子束外延

C.溅射镀膜

D.电镀

2.在溅射镀膜过程中，轰击靶材的粒子通常是（）

A.电子

B.离子

C.原子

D.分子

3.化学气相沉积中，反应气体在衬底表面发生的过程主要是（）

A.物理吸附

B.化学吸附

C.脱附

D.扩散

4.分子束外延生长薄膜的优点不包括（）

A.生长速率快

B.可精确控制薄膜厚度

C.能实现原子级的薄膜

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