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单片机原理与接口技术
第4章;第4章单片机的最小系统及系统扩展;4.1AT89C51单片机性能介绍;4.1.1.主要特性;●128×8位内部RAM;
●32位可编程I/O线;
●两个16位定时器/计数器:
●5个中断源:
●可编程串行通道;
●低功耗的闲置和掉电模式;
●片内振荡器和时钟电路。;4.1.2
管脚
说明;P0口:;P1口:;P2口:;P2口;P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后,由于内部有拉电阻而变为高电平,并作为输入信号。
P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口。;P3口具有特殊功能如下:;RST:;ALE/PROG:;ALE/PROG;当EA保持低电平时,则在此期间访问外部程序存储器(0000H-FFFFH),不管是否有内部程序存储器。注意加密方式1时,EA将内部锁定为RESET;当EA端保持高电平时,此间访问内部程序存储器。在FLASH编程期间,此管脚也用于施加12V编程电源(Vpp)。;XTALl和XTAL2;XTALl和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器。石晶振荡和陶瓷振荡均可采用。如采用外部时钟源驱动器件,XTAL2应不接。输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器,因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求,但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。;XTALl和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器。石晶振荡和陶瓷振荡均可采用。;振荡器特性;整个EPROM阵列和三个锁定位的电擦除可通过正确的控制信号组合,并保持ALE管脚处于低电平10ms来完成。在芯片擦操作中,代码阵列全被写“1”且在任何非空存储字节被重复编程以前,该操作必须被执行。;AT89C51设有稳态逻辑;4.2MCS-51单片机最小应用系统;;AT89C51单片机构成的最小系统;在8051单片机中,P1口是双向的I/0口,可以置位,所以可以用来做控制使用。
;由图4-3可知,P1口连接8个发光二极管,然后通过一个电阻接5V电源,当P1口是低电平时,发光二极管亮,当P1口是高电平时,发光二极管灭。;1.延时程序;P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL门电流。
??接EPROM的输出允许,由于使用的是外部程序存储器,所以接地。
P3口具有特殊功能如下:
在8051单片机中,P1口是双向的I/0口,可以置位,所以可以用来做控制使用。
Flash存储器又称为闪速存储器或快擦写存储器,它是在EPROM工艺的基础上增添了芯片整体电擦除和再编程功能,使其成为性价比高、可靠性高、擦写快、非易失的存储器。
1是高电平,可用语句“P1.
P1口是双向的I/0口
单片机原理与接口技术
第4章
如采用外部时钟源驱动器件,XTAL2应不接。
P36(WR)单片机的写入信号
While(--k);//循环1000次,延时1s
不同的厂商命令字不同,内部命令寄存器的地址和存放ID码的地址也不同,用户可以从厂商的网址上找到。
不同的厂商命令字不同,内部命令寄存器的地址和存放ID码的地址也不同,用户可以从厂商的网址上找到。
当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址。
XTALl和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。;图4-3单片机P1口用于输出口;应用程序;sfrP1=0x90;;Sbitp1.1=p1^1;3.控制LED指示灯的源程序;while(1);//循环
{K=1000
While(--k);//循环1000次,延时1s
{delay(500);//调用延时函数}
}
;P1.1=0//Pl.1低电平
}
}
voiddelay(unsignedchart)//延时lms
{while(--t);
};;4、3、1程序存储器的扩展性能;程序存储器的扩展性能;4、3、2外部程序存储器的操作时序;图4-4外部程序存储器读指令时序图;外部程序存储器的操作时序;说明;4、3、3外部程序存储器的扩展方法;图4-5外部程序存储器读指令时序图;说明;2、Flash存储器;3、Flash存储器的编程方法;Fl
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