第2讲半导体基础知识二极管.pptVIP

概述第1页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体物理基础知识按导电性能的不同，物质可分为导体、绝缘体和半导体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，并且会随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。目前用来制造电子器件的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。第2页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.1.1本征半导体用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。GeSi价电子第3页，共41页，星期日，2025年，2月5日硅和锗都是晶体，相邻原子由价电子组成的共价键联系在一起共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体第4页，共41页，星期日，2025年，2月5日本征半导体的导电机理1.载流子、自由电子和空穴在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。第5页，共41页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4空穴自由电子束缚电子本征激发第6页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子自由电子和空穴+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。第7页，共41页，星期日，2025年，2月5日本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流2.空穴移动产生的电流本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度热平衡载流子浓度值：温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。第8页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.1.2杂质半导体杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P型半导体。1.N型半导体在本征Si和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入五价元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。第9页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.P型半导体在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体称为P型半导体。3.多子和少子所掺入三价元素称为受主杂质，简称受主（能供给空穴）P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子。第10页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.1.2两种导电机理——漂移和扩散1.漂移电流在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动形成的电流，称为漂移电流。它类似于金属导体中的传导电流。为电子电流为空穴电流漂移电流的大小将由半导体中载流子浓度、迁移速度及外加电场的强度等因素决定。第11页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.扩散电流在半导体中，因某种原因使载流子的浓度分布不均匀时，载流子会从浓度大的地方向浓度小的地方作扩散运动，从而形成扩散电流。半导体中某处的扩散电流主要取决于该处载流子的浓度差(即浓度梯度)。浓度差越大，扩散电流越大，而与该处的浓度值无关。第12页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.2PN结通过掺杂工艺，把本征硅(或锗)片的一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，这样在它们的交界面处会形成一个很薄的特殊物理层，称为PN结。P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时，因为P区一侧空穴多，N区一侧电子多，所以在它们的界面处存在空穴和电子的浓度差。于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子。1.动态平衡下的PN结第13页，共41页，星期日，2025年，2月5日空间电荷区的形成内建电场：空间电荷区的左侧带负电，右侧带正电，这样在空间电荷区内就形成一个电场，阻止多子的扩散，促进少子的漂移，最终达到动态平衡。第14页，共41页，星期日，2025年