S掺杂TiO_2的第一性原理分析及光学性质研究.pdfVIP

第45卷第12期邢锦娟，等：S掺杂Ii0的第一性原理分析及光学性质研究1483

‘一

表1所示：

、＼

表1TiO结构优化晶格常数＼

＼＼、～

莲s=一

S；7弓妻=

图2TiO能带结构图

实验值与计算值非常接近，说明采用的计算方

法合理。为了便于比较不同掺杂离子进入TiO晶格

的难易程度，引入杂质形成能，定义如下：

Ef=ETiO2：SETiO2。kEs+mE

Ti2+号E。：

=三三二—～一／／、＼一／＼

其中Ez：S和Ez是掺杂后体系的总能量与掺杂==，一

一

—!盘．

体系相同大小的纯TiO的超晶胞体系总能量，Ess，

EE。分别是单质硫分子、钛分子及氧分子的能图3Ti、eSOs、能带结构图

量，k，m，n分别是掺杂体系中掺入的硫原子数及被

从图3可知，掺杂后TiO的禁带宽度从2．07ev

取代的钛原子或氧原子数，本计算中标记为1。表2列变为1．50eV，在价带上方出现一杂质能级，该杂质能

出了掺杂后的杂质形成能、平均键长、体积变化、平

级是由O2p态、Ti3d态与S2p态杂化形成。禁带

均净电荷及八面体的偶极矩。从表2可以看出，较宽度减小可使其在光催化实验中光谱红移，进而有效

纯TiO：，掺杂后产品Ti—O键长增加，晶格体积明

利用可见光，从而在可见光激发下具有光催化活性。

显增加，这主要是由于s离子的半径远大于O离子

的半径，因此掺杂后TiO：的晶格发生畸变，导致键

长和体积发生改变。各原子的平均净电荷也发生了

改变，从而使掺杂后TiSO-八面体中负电荷的中心

不再与正电荷的中心重合，从而产生内部偶极矩，

有利于光生电子一空穴对的分离】。

表2结构优化后的杂质形成能、平均键长、体积变化、平

均净电荷及八面体的偶极矩

图4TiO费米能级附近态密度图及分波态密度图

Ti0200．194801．270—0．6300

TiI6S0，I5．83630．19560．22