碳化硅基底上石墨烯生长机理与界面性质的理论剖析.docx

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碳化硅基底上石墨烯生长机理与界面性质的理论剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域,新型材料的不断涌现为各个行业的发展带来了新的机遇与变革。其中,石墨烯和碳化硅作为两种具有独特性能的材料,受到了广泛的关注与深入的研究。将石墨烯生长在碳化硅上形成的复合材料,不仅结合了两者的优点,还展现出了一些新的特性,为材料科学的发展开辟了新的道路。因此,深入研究石墨烯在碳化硅上的生长机理及界面性质,具有重要的理论和实际意义。

石墨烯,作为一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料,自2004年被英国曼彻斯特大学物理学家安德烈?盖姆和康斯坦丁?诺沃肖洛夫成功从石墨中分

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