双向高过载硅基差压敏感元件的研制.pdfVIP

第33卷第2期光学精密工程Vol.33No.2

2025年1月OpticsandPrecisionEngineeringJan.2025

文章编号1004-924X（2025）02-0209-11

双向高过载硅基差压敏感元件的研制

1，2*1，21，21，21，21，2

杜立群，李奥奇，李蒙，杨晓臣，孟祥悦，邱汇烽

（1.大连理工大学高性能精密制造全国重点实验室，辽宁大连116024；

2.大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室，辽宁大连116024）

摘要：为了提高差压传感器的双向过载能力，本文设计了一种梁-群岛错位膜结构差压敏感元件。该敏感元件由梁-群岛

硅膜结构和玻璃基底键合而成。其中，梁结构降低了应力集中，群岛结构提高了结构刚度；玻璃基底键合面设计有方形

凹槽和圆形通孔，硅膜结构和玻璃基底的方形凹槽形成的错位结构进一步降低了最大应力。首先，通过有限元软件分析

了双向高过载硅基差压敏感元件的应力分布、敏感元件的满量程输出及最大应力。其次，分析了结构尺寸与爆破压力的

关系，采用尺寸优化求解出最大爆破压力下的结构尺寸。最后，通过MEMS硅工艺制作了具有双向高过载的硅基差压

敏感元件。压力测试结果表明：制得的双向高过载硅基差压敏感元件的爆破压力为8.5倍量程，与传统C型膜结构差压

敏感元件（爆破压力6.5倍量程）相比，过载能力提高了30.7%。实验结果证明梁-群岛错位膜结构可以有效提高差压敏

感元件的双向过载能力。

关键词：MEMS；差压敏感元件；有限元；尺寸优化；过载能力

中图分类号：TP212文献标识码：A

doi：10.37188/OPE..0209CSTR：32169.14.OPE..0209

Developmentofbi-directionalhighoverloadsilicon-based

differentialpressuresensitiveelement

DULiqun1，2*，LIAoqi1，2，LIMeng1，2，YANGXiaocheng1，2，MENGXiangyue1，2，QIUHuifeng1，2

（1.StateKeyLaboratoryofHigh-performancePrecisionManufacturing，DalianUniversityof

Technology，Dalian116024，China；

2.KeyLaboratoryforMicro/NanoTechnologyandSystemofLiaoningProvince，DalianUniversityof

Technology，Dalian116024，China）

*Correspondingauthor，E-mail：duliqun@dlut.edu.cn

Abstract：Inordertoimprovethebi-directionaloverloadcapabilityofdifferentialpressuresensors，a

beam-archipelagodislocatedmembranestructuredifferentialpressuresensitiveelementwasdesi