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碳化硅晶片表面杂质元素含量测定方法的发展报告
摘要
本报告详细阐述了采用电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面杂质元素含量的技术方案。随着第三代宽禁带半导体材料的快速发展，碳化硅因其优异的物理特性在大功率、高温和高频电子器件领域展现出巨大应用潜力。然而，晶片表面杂质污染问题严重影响了器件性能和可靠性。本报告系统分析了该测定方法的目的意义、适用范围及主要技术内容，为碳化硅材料质量控制提供了科学可靠的分析手段，对推动碳化硅半导体产业健康发展具有重要意义。
要点列表
-碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有优越的物理特性和应用前景
-晶片表面杂质污染严重影响器件性能和可靠性
-电感耦合等离子
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