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碳化硅外延层载流子寿命测试瞬态吸收法发展报告

摘要

本报告详细阐述了采用瞬态吸收法测试碳化硅外延层载流子寿命的技术方案及其重要意义。随着传统硅基功率器件性能逼近理论极限，碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，因其优异的物理特性在大功率、高温和高频应用领域展现出巨大潜力。瞬态吸收法通过测量电子对光的实时吸收变化来拟合载流子寿命，解决了传统微波光电导衰减法空间分辨率低、检测速度慢、误差大等技术瓶颈，特别适用于厚度在30μm以下的碳化硅外延层测试，为半导体材料质量评估提供了先进的技术手段。

要点列表

-碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有优越的物理特性，适合大功率、高温和高频应用

-载流子寿命是评