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半导体器件工艺与制造面试题
一、单选题（每题2分，共10题）
1.硅材料在半导体器件制造中主要利用其哪种特性？
A.优良的导电性
B.良好的绝缘性
C.高温稳定性
D.光电转换能力
2.以下哪种工艺主要用于形成半导体器件的栅极？
A.光刻工艺
B.离子注入工艺
C.扩散工艺
D.腐蚀工艺
3.MOSFET器件中，增强型NMOS管在零栅极电压下处于什么状态？
A.导通状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.准稳定状态
4.以下哪种材料常用于制造半导体器件的钝化层？
A.硅氮化物（SiN?）
B.氧化硅（SiO?）
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