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第6章

半导体表面特性及MOS电容

6.1半导体表面和界面结构

6.2表面势

6.3MOS结构的电容—电压特性

6.4MOS结构的阈值电压

——本章重点

●硅-二氧化硅界面中存在的不利因素和消除措施

OMOS结构中C-V曲线揭示了

氧化层等器件质量性能

●阈值电压表征半导体表面反型状态，它是MOS器件的基础

6.1半导体表面和界面结构

半导体器件的特性与半导体表面特征性质有

特别重要的联系。在超、特大集成电路迅速发展

的今天，半导体器件的制造相当多是在很薄的一层表面内完成的(几个微米甚至更小),因而，

如何有效控制和完善半导体的表面质量，从而进一步利用半导体表面效应，可用来制造例如MOS

(金属-氧化物-半导体)器件、CCD(电荷耦合器件)、LED(发光二极管)、LCD(液晶显示)、半导体激光等表面发光器件，以及太阳能电池等表面感应器件。

理想表面(清洁表面)

原子完全有规则排列所终止的一个平面。

表面排列整齐的硅原子与体内的硅原子形成共价键，但由于表面价键处于所谓“悬挂键”的空置状态，其状态极其不稳定，表面很容易吸附一些其他原子例如空气中的氧原子而形成

氧化层。

真实表面

用物理或化学方法形成的半导体表面，暴露在空气中，存在氧化层或吸附其他原子。

表面存在“悬挂键”,对电子有受主的性质，存在一些可以容纳电子的能量状态，称为“表面能级”或“表面态”。

表面能级在禁带中靠近价带顶的位置，准

连续。

表面能级密度

单位面积所具有的表面态的数目。cm-2

表面费米能级(EF)s

载流子填充表面能级的状态。

电子填充带负电；

空穴填充带正电。

内表面

真实表面存在天然氧化层，

半导体与天然氧化层的交界面；

内表面能级密度比原子密度小好几个数量级。

外表面

天然氧化层与外界接触的交界面。

快态能级

在毫秒甚至更短的时间内完成与体内交换电子。(内表面)

慢态能级

需较长时间完成与体内交换电子。(外表面)

S-S₁O₂界面的结构

利用热生长或化学汽相淀积人工生长的S₁O₂可有厚达几千埃(10-10m),外表面能级几乎无法与体内交换电子，S-S₁O₂界面有别于理想表面和真实表面，慢态能级和外界气氛对半导体内的影响很小。

SO₂常用作MOS结构中的绝缘介质层，器件有源区之间场氧化隔离，选择掺杂的掩蔽膜，钝化保护膜等。

硅-二氧化硅界面，二氧化硅层中，存在一些严重影响器件性能的因素，主要是氧化层中可动离子，固定氧化层电荷，界面陷阱，

以及辐射、高温高负偏置应力会引起附加氧化层电荷的增加等。

k可动离子电荷

(Na+

固定电荷

++田

界面

陷阱电荷

金属

sio₂

Si

氧化层

陷阱电荷

十

+

可动离子

在人工生长的二氧化硅层中存在着一些可移动的正电荷，它们主要是沾污氧化层的一些离子。刚沾污时，这些正离子都在氧化层的外表面上。在电场及温度的作用下，它们会漂移到靠近硅-二氧化硅界面处，在硅的表面处感应出负电荷，对器件的稳定性有很大的影响。其中最主要的是钠离子(Na+)它在二氧化硅中进行漂移的激活能很低，因此危害很大。

为了防止和去掉钠离子沾污的影响，除了严格执行工艺规定防止离子沾污外，提高制备材料(如化学试剂、气体等)的纯度，改进工艺装备和方法，是获得稳定的MOS器件的重要手段。目前有两种工艺被广泛应用：磷稳定化和氯中性化。

磷稳定化即二氧化硅外部形成磷硅玻璃，扩散中可动钠离子总是进入氧化层中的富磷区，一旦离子被陷在磷硅玻璃中，即使回到室温，它仍会保持被陷状态，保证二氧化硅内碱金属离子最小状态。

氯中性化在即生长二氧化硅层时，将少量氯化合物一起反应生成一种新的材料，它是位于氧化层-硅界面的氯硅氧烷，当钠离子迁移到氧化层-硅界面时会被陷住中和，实现稳定化。

固定正电荷

实验表明硅-二氧化硅界面附件的二氧化硅一侧内存在一些固定正电荷，它们大致分布在近界面100A的范围内。对半导体表面的电性质有重要的影响。其特点可总结分析如下：

(1)固定电荷与氧化层厚度、半导体掺杂浓度、掺杂类型无关；

(2)固定电荷受不同晶向影响而变化，其密度(111)表面最大，(100)表面最小，两者比例大约为3:1;

(3)固定电荷密度与氧化条件(如氧化气氛、炉温)紧密相关，温度上升固定电荷密度则近似线性下降。值得注意，当氧化过程中经过不同温度条件生长氧化层，其固定电荷由最终温度决定；

(4)氧化过硅片在氩气或氮气气氛中退